UMA5NTR 时间：2025/12/25 10:28:06 阅读：14

UMA5NTR是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似尺寸）。该器件专为低电压、低电流开关应用设计，适用于便携式电子设备和高密度PCB布局场景。UMA5NTR的‘TR’后缀表明其为卷带包装，适合自动化贴片生产流程。作为一款通用型MOSFET，它在电源管理、信号切换、负载控制等电路中发挥关键作用。其结构基于先进的沟槽型工艺技术，能够在较小的导通电阻与栅极电荷之间实现良好平衡，从而提升整体能效。由于其低阈值电压特性，UMA5NTR可直接由逻辑信号驱动，兼容微控制器输出电平，广泛应用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机、智能家居控制器等。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：50V
　　连续漏极电流(ID)：100mA@25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：400mA
　　导通电阻(RDS(on))：6.5Ω@VGS=10V, 6.8Ω@VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V~2.0V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　输入电容(Ciss)：17pF@VDS=25V
　　反向传输电容(Crss)：3.5pF@VDS=25V
　　输出电容(Coss)：18pF@VDS=25V
　　开启延迟时间(Td(on))：8ns
　　关断延迟时间(Td(off))：15ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C~+150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

UMA5NTR具备优异的开关性能与低功耗特性，适用于高频开关操作。其核心优势在于低栅极电荷（Qg）和低输入电容，这使得器件在快速切换过程中消耗更少的能量，显著降低驱动电路的负担。特别是在电池供电系统中，这种低驱动损耗有助于延长设备运行时间。同时，由于采用了优化的芯片结构设计，UMA5NTR在小电流工作状态下仍能保持较低的导通电阻，确保功率传输效率最大化。
　　该MOSFET具有较宽的栅源电压耐受能力（±20V），增强了对瞬态过压的防护能力，提高了系统稳定性。其阈值电压范围设定在1.0V至2.0V之间，使其能够被3.3V甚至1.8V逻辑信号可靠触发，兼容多种数字控制器输出电平，无需额外电平转换电路即可实现直接驱动。
　　热性能方面，尽管封装尺寸微小，但通过高效的内部引线连接和散热路径设计，UMA5NTR可在高密度布局环境下维持稳定的热表现。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）以及温度循环试验，确保长期使用中的电气性能一致性。
　　此外，UMA5NTR支持AEC-Q101车规级可靠性要求的部分验证项目，虽非完全车规型号，但在汽车电子中的非关键模块（如车内照明控制、传感器接口）也有一定应用潜力。整体而言，该器件以其小型化、高效能和高可靠性的特点，在现代电子系统中扮演着重要角色。

应用

UMA5NTR广泛应用于各类需要微型化、低功耗开关功能的电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关与负载控制，例如智能手机内的外设供电管理、蓝牙耳机中的充电盒电源通断控制、智能手表背光驱动等。其小尺寸封装特别适合空间受限的设计环境。
　　在工业与家用自动化领域，该MOSFET常用于传感器信号切换、继电器驱动电路的前置级控制、LED指示灯的开关调节等场景。由于具备良好的噪声抑制能力和稳定的导通特性，也适用于模拟多路复用器中的通道选择开关或音频信号路径切换。
　　在通信模块中，UMA5NTR可用于RF前端电路中的偏置电源控制或天线调谐元件的使能开关，因其低寄生电容不会显著影响高频信号完整性。
　　此外，在电池管理系统（BMS）中，它可以作为单节锂电池保护电路中的辅助开关，配合主控IC实现充放电回路的隔离控制。在嵌入式微控制器单元（MCU）周边电路中，常被用来控制外部模块的上电时序，防止启动冲击电流过大。
　　得益于其符合环保标准的材料构成，该器件也被广泛用于医疗可穿戴设备、物联网节点、无线传感器网络等对安全性和可持续性有较高要求的应用场合。