UM620T 时间：2025/9/3 0:18:01 阅读：12

UM620T是一款由Unisonic Technologies公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和负载开关等电路中。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适合高频开关应用。UM620T采用TO-252（DPAK）封装，具有较小的封装尺寸和较高的功率密度，适用于空间受限的电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：20V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：6A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为28mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

UM620T采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，使其在高频开关应用中表现出色。其20V的漏极-源极电压额定值使其适用于低压电源管理系统，如电池供电设备、DC-DC转换器和同步整流器。该器件的栅极驱动电压为10V时，可提供6A的连续漏极电流，确保高效能的功率转换。此外，UM620T具有良好的热稳定性和较低的开关损耗，有助于提高整体系统效率并减少散热需求。TO-252封装提供了良好的散热性能和紧凑的设计，适用于自动化装配和表面贴装工艺。
　　UM620T还具有较高的可靠性和耐用性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能。其±12V的栅极-源极电压额定值提供了良好的栅极保护，防止过电压损坏。该器件的低导通损耗和快速开关特性使其成为高效率电源设计的理想选择，尤其适合需要低静态电流和高功率密度的应用场景。

应用

UM620T常用于多种电源管理应用，包括便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关、同步整流器、电池管理系统（BMS）、工业控制电路以及开关电源（SMPS）等。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效能电源转换和负载控制方面表现优异。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统、LED照明驱动电路以及电动工具和无人机等电池供电设备中的功率控制模块。