UM108-SE 是一款由 United Monolithic Semiconductors(UMS)生产的高性能射频(RF)放大器芯片,专为高频应用设计。该器件基于 GaAs(砷化镓)工艺制造,适用于通信系统、雷达、测试设备和工业控制系统中的射频信号处理。UM108-SE 在 S 波段和 C 波段具有出色的性能,提供高线性度和低噪声系数,是许多高频放大应用的理想选择。
频率范围:DC - 6 GHz
增益:18 dB @ 5.8 GHz
输出功率(P1dB):18.5 dBm @ 5.8 GHz
工作电压:+5V
工作电流:120 mA
噪声系数:2.5 dB @ 5.8 GHz
封装类型:SOT-89
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
UM108-SE 的主要特性之一是其宽带操作能力,覆盖从 DC 到 6 GHz 的频率范围,使其适用于多种射频应用。该芯片采用 GaAs MMIC(单片微波集成电路)技术制造,确保了高频性能和稳定性。
在增益方面,UM108-SE 在 5.8 GHz 下提供高达 18 dB 的增益,适用于需要高增益放大的应用,如无线通信和射频前端模块。同时,该器件在输出功率方面表现出色,P1dB 达到 18.5 dBm,能够在不引入明显失真的情况下提供较高的输出功率。
UM108-SE 的噪声系数为 2.5 dB,这表明其在低噪声放大方面表现良好,非常适合用于接收机前端以提高信号质量。其工作电压为 +5V,电流消耗为 120 mA,属于中等功耗器件,适合各种电池供电或中功率应用。
UM108-SE 采用 SOT-89 封装,体积小巧,便于集成到高密度 PCB 设计中,并具备良好的热稳定性和机械强度。其工作温度范围为 -55°C 至 +125°C,适合在恶劣环境中使用。
UM108-SE 广泛应用于各种射频和微波系统中,包括无线通信基础设施、雷达系统、测试与测量设备、工业控制系统以及卫星通信设备。由于其宽带特性,该芯片也常用于 5.8 GHz ISM 频段的无线应用,如 Wi-Fi 6E 和其他高带宽无线通信系统。
在无线通信中,UM108-SE 可作为低噪声放大器(LNA)或驱动放大器,用于提升接收机的灵敏度或增强发射信号的强度。在测试设备中,该芯片可用于构建高性能的射频信号发生器或放大器模块,以支持各种高频测试场景。
此外,UM108-SE 也适用于雷达系统中的射频信号放大,帮助提高探测距离和精度。其高线性度和低噪声特性使其在需要高保真信号处理的应用中表现出色。
HMC414, ATF-54143, BGA2809