TRPGP40ATGC是一款高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压、大电流的开关应用。该器件采用TO-247封装形式,具备较低的导通电阻和较高的击穿电压,广泛应用于工业电源、电机驱动以及开关电源等场景。其设计旨在提高效率并减少热损耗。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:40A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:75nC
总功耗:260W
工作结温范围:-55℃至175℃
TRPGP40ATGC具有以下主要特性:
1. 高击穿电压(650V),使其能够在高电压环境下稳定运行。
2. 较低的导通电阻(0.18Ω),有效降低功率损耗。
3. 快速开关速度,适合高频开关应用。
4. 具备良好的热性能,能够在高温环境下可靠运行。
5. 采用TO-247封装,提供优秀的散热能力。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
TRPGP40ATGC适用于多种高压、大电流的应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. 逆变器
3. 工业电机驱动
4. UPS不间断电源
5. 大功率LED驱动
6. 电动车充电系统
7. 电池管理系统(BMS)中的功率管理部分
IRFP460, STP40NF06, FQP50N06L