晶体管类型：NPN/PNP双极型晶体管阵列
　　最大集电极电流（IC）：100mA/晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP16
　　输入类型：TTL兼容
　　输出配置：开漏输出

ULS8126R 的设计使得多个晶体管可以在单一芯片上协同工作，从而减少了外部电路的复杂性并提高了系统的可靠性。该器件的每个晶体管都具有独立的引脚，用户可以根据需要灵活配置电路结构。此外，ULS8126R 还具备较高的开关速度和良好的温度稳定性，使其适用于高频信号处理和温度变化较大的应用场景。
　　ULS8126R 采用了先进的制造工艺，确保了器件在高负载条件下的稳定性能。其低饱和电压特性有助于减少功耗，提高系统的能效。同时，该芯片的封装形式支持表面贴装技术（SMT），简化了生产流程并提高了组装效率。
　　在保护功能方面，ULS8126R 设计有内置的反向电压保护和过热保护机制，从而延长了器件的使用寿命并降低了故障率。这种特性在工业自动化和汽车电子等对可靠性要求极高的环境中尤为重要。

ULS8126R 常用于各种需要多晶体管集成的应用场景，如继电器驱动、LED显示控制、小型电机驱动以及逻辑电平转换电路。在工业控制系统中，该芯片可以用于驱动执行机构和传感器模块，实现高效的信号处理和控制功能。此外，ULS8126R 也广泛应用于消费类电子产品，例如家用电器、音频放大器和智能照明系统等，为其提供可靠的晶体管支持。

ULS8126R 的替代型号包括ULS8126、ULS8126D和ULS8127R等。