UKW2A3R3MDD是一款由松下(Panasonic)公司生产的表面贴装型多层陶瓷片式电容器(MLCC)。该器件属于松下高性能电容产品线,广泛应用于各类电子设备中,以提供稳定的电容性能和高可靠性。该型号的电容器采用X7R介电材料,具有良好的温度稳定性和较小的容量变化率,适用于需要在宽温度范围内保持电容值稳定的电路设计。其标称电容值为3.3μF,额定电压为100V DC,符合工业级应用标准。该器件封装尺寸为0805(英制),即公制2012,适合自动化贴片生产,且具备良好的焊接可靠性和机械强度。由于其小型化设计和高性能特性,UKW2A3R3MDD被广泛用于电源管理、去耦、滤波、旁路以及信号耦合等应用场景。此外,该产品符合RoHS环保要求,不含铅和其他有害物质,适用于现代绿色电子产品制造。
电容值:3.3μF
额定电压:100V DC
电容容差:±20%
介电材料:X7R
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
温度特性:ΔC/C ≤ ±15% (-55°C 至 +125°C)
封装尺寸:0805(2012 公制)
安装类型:表面贴装(SMD)
引脚数:2
最大厚度:1.25mm
长度:2.0mm ±0.2mm
宽度:1.25mm ±0.2mm
耐湿性:符合IEC 61000-4-2标准
绝缘电阻:≥1000MΩ 或 RC ≥ 100S(取较大值)
额定寿命:在额定电压和最高工作温度下可连续工作1000小时以上
UKW2A3R3MDD采用先进的多层陶瓷制造工艺,确保了高电容密度与小尺寸封装的完美结合。其内部结构由多个交替堆叠的陶瓷介质层和内电极构成,有效提升了单位体积内的电容值,同时降低了等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),从而增强了高频响应性能。X7R介电材料的使用使得该电容器在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持稳定的电容性能,电容变化率控制在±15%以内,适合对温度稳定性有一定要求但不苛求如C0G/NP0等级的精密电路。该器件具备优异的抗热冲击能力,在回流焊过程中不易因温度骤变而产生裂纹或失效,提高了生产良率。其端电极采用三层电极结构(铜-镍-锡),增强了焊接可靠性和长期环境耐久性,防止因潮湿、氧化或离子迁移导致的性能退化。此外,该电容器具有低损耗因子(tanδ ≤ 2.5%),有助于减少能量损耗,提高电源效率。在动态负载条件下,能够快速响应电压波动,提供有效的去耦和滤波功能。产品经过严格的质量控制流程,符合AEC-Q200汽车级可靠性标准的部分测试项目,因此也可用于部分车载电子系统。其高体积效率使其成为便携式电子设备、通信模块和工业控制板中的理想选择。
该型号还具备良好的直流偏压特性,尽管随着施加电压接近额定值,电容值会有所下降,但在典型工作电压下仍能维持较高的有效电容,优于一般Y5V材质的产品。此外,其低磁致伸缩设计减少了在开关电源等高噪声环境中可能引发的微音效应(microphonics),避免将机械振动转化为电信号干扰。整体设计兼顾了电气性能、机械稳健性和生产工艺兼容性,适用于高速自动贴片机作业,并可通过JEDEC标准的湿度敏感度等级测试(MSL 1),无需烘烤即可直接焊接。这些综合特性使UKW2A3R3MDD成为中高压、中等精度应用场合下的优选MLCC器件。
UKW2A3R3MDD多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子系统中,尤其适合需要在有限空间内实现较高电容值的场景。在电源管理系统中,常用于DC-DC转换器的输入和输出滤波,有效平滑电压波动并抑制高频噪声,提升电源稳定性。在微处理器和FPGA等数字集成电路的供电网络中,作为去耦电容使用,能够迅速响应瞬态电流需求,降低电源轨上的电压尖峰和振铃现象,保障芯片稳定运行。在模拟信号链路中,可用于交流耦合、级间耦合和低通滤波电路,其稳定的电容值有助于保持信号完整性。此外,该器件也常见于工业控制设备、PLC模块、传感器接口电路和医疗电子设备中,承担储能、滤波和旁路功能。由于其工作温度范围宽且可靠性高,也被用于部分汽车电子应用,如车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助驾驶系统的电源部分。在通信设备领域,可用于基站模块、光模块和路由器中的电源去耦和噪声抑制。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器等也广泛采用此类规格的MLCC,以满足小型化和高性能的设计需求。其表面贴装封装形式支持高密度PCB布局,适应现代电子产品向轻薄化发展的趋势。同时,该器件还可用于LED驱动电源、逆变器和开关电源中的缓冲电路,协助吸收电压尖峰和改善电磁兼容性(EMC)性能。
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"GRM21BR71H335KA88L",
"C2012X7R1H335K125AE",
"CL21B335KBANNNC",
"TC321B-335K",
"DME31H335ME"
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