UK3919L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:45:58 阅读：16

UK3919L-TN3-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSC）公司生产的高性能硅碳化物（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温环境下的电力电子应用而设计。该器件采用先进的沟槽式碳化硅技术，有效提升了反向阻断能力和热稳定性，同时消除了传统硅基PN结二极管的反向恢复电荷问题，显著降低了开关损耗。UK3919L-TN3-R属于650V耐压等级的产品，具有低正向导通压降（VF）、高浪涌电流承受能力以及出色的热导性能，适用于诸如服务器电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统、工业电机驱动及各类高密度AC-DC/DC-DC转换器等场景。该封装形式为贴片式的TO-252（DPAK），便于自动化生产和良好的散热管理，适合在紧凑型电源设计中使用。此外，其无铅环保设计符合RoHS与REACH规范，满足现代电子产品对绿色制造的要求。由于碳化硅材料本身的宽禁带特性，该器件可在高达175°C的结温下稳定工作，大幅提升了系统在恶劣环境中的可靠性。

参数

类型：SiC肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：650V
　　平均正向电流（IF(AV)）：10A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：80A（@8.3ms, 半正弦波）
　　正向压降（VF）：1.55V（典型值，@IF=10A, TJ=25°C）
　　反向漏电流（IR）：0.2mA（最大值，@TJ=25°C, VR=650V）；5mA（@TJ=150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻结到壳（RθJC）：2.5°C/W（典型值）
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数：3
　　极性：单通道阳极共接（Common Anode）配置可选版本存在，但本型号为标准单二极管结构

特性

UK3919L-TN3-R的核心优势在于其基于第三代半导体材料——碳化硅（SiC）构建的肖特基势垒结构。相比传统的硅快恢复二极管或PIN二极管，该器件实现了近乎零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从而彻底消除了反向恢复过程中的能量损耗和由此引发的电磁干扰（EMI）问题。这一特性使其特别适用于高频开关电源拓扑，如图腾柱PFC（Totem-Pole PFC）、LLC谐振变换器以及双向DC-DC转换器，在这些应用中，任何额外的恢复电荷都会导致严重的交叉导通损耗和效率下降。此外，由于没有少子存储效应，UK3919L-TN3-R具备极快的开关响应速度，支持MHz级的开关频率运行，有助于减小磁性元件体积，提升整体功率密度。
　　该器件的正向导通压降（VF）在同类产品中表现优异，即使在高温条件下也能维持较低水平，确保系统在满载工况下保持高效。其漏电流虽略高于硅器件，但在正常工作温度范围内仍处于可控状态，并且随着温度升高增长趋势平稳，不会引发热失控风险。得益于碳化硅材料的高临界电场强度，该二极管可在650V额定电压下实现更薄的漂移层，进一步降低导通电阻和动态损耗。同时，其出色的热导率（约4.9 W/cm·K）使得热量能迅速从PN结传导至PCB或散热器，延长器件寿命并提高系统可靠性。TO-252封装经过优化设计，增强了爬电距离和电气隔离性能，适应于高绝缘要求的应用环境。此外，该器件具备良好的抗浪涌能力，能够承受高达80A的短时过流冲击，增强了在电网波动或启动瞬态条件下的鲁棒性。所有这些特性共同构成了一个面向未来能源系统的高效、可靠、紧凑的功率解决方案。

应用

UK3919L-TN3-R广泛应用于各类高效率电力转换系统中，尤其适合对开关损耗敏感且追求小型化设计的先进电源架构。在通信电源和服务器PSU领域，它常用于有源钳位反激（Active Clamp Flyback）、全桥LLC以及图腾柱无桥PFC电路中作为整流或续流元件，显著提升整机能效并满足80 PLUS钛金等级要求。在可再生能源系统中，例如光伏微型逆变器和组串式逆变器，该器件用于直流侧升压电路中的升压二极管，利用其低VF和无Qrr特性减少能量损失，提高MPPT效率。在电动汽车相关设备中，包括车载充电机（OBC）和直流快充桩的DC-DC模块，UK3919L-TN3-R可用于高压侧同步整流或电压钳位电路，帮助实现更高的功率密度和更快的充电速度。此外，在工业电机驱动、UPS不间断电源、高端LED驱动电源以及高密度适配器等场合，该器件也发挥着关键作用，特别是在需要宽输入电压范围、高温运行环境或强制风冷受限的设计中表现出明显优势。其表面贴装封装形式还支持自动化回流焊工艺，适用于大规模智能制造流程，进一步提升了生产效率与产品一致性。