时间：2025/8/15 9:31:19
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UJ4SC075018B7S是一款由UnitedSiC（现属于Qorvo）制造的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET），专为高效率功率转换应用而设计。该器件采用了先进的碳化硅技术，具有出色的导通电阻（Rds(on)）和开关性能，适用于诸如电动汽车充电系统、工业电源、可再生能源逆变器等高要求的应用场景。UJ4SC075018B7S属于SiC FET中的一种，结合了低导通损耗和低开关损耗的优点，使其在高频开关应用中表现出色。此外，该器件采用7引脚双列直插封装（DIP-7），便于安装和散热管理，适合在高温环境下运行。
类型：碳化硅（SiC）FET
漏源电压（Vds）：750 V
连续漏极电流（Id）@25°C：18 A
导通电阻（Rds(on)）：70 mΩ（最大）
封装类型：7引脚双列直插（DIP-7）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
栅极电压范围：-20 V 至 +20 V
最大功率耗散：180 W
短路耐受能力：600 V @ 30 A
栅极电荷（Qg）：100 nC
漏源击穿电压：750 V
UJ4SC075018B7S具备多项先进的性能特点，使其在高功率应用中表现出色。首先，其导通电阻（Rds(on)）非常低，最大仅为70 mΩ，从而显著降低了导通损耗，提高了整体效率。这使得该器件非常适合用于需要高效率的电源转换器和逆变器设计中。此外，该SiC FET的开关损耗极低，尤其是在高频工作条件下，相比传统硅基MOSFET和IGBT具有显著优势。这种低开关损耗特性有助于提高开关频率，从而减小无源元件的尺寸和重量，提升系统的功率密度。
UJ4SC075018B7S的7引脚双列直插封装设计不仅提供了良好的电气隔离，还优化了热管理性能，使其在高功率密度和高温环境下仍能稳定运行。该封装还支持简便的PCB布局和焊接工艺，降低了设计复杂性和生产成本。此外，该器件具有优异的短路耐受能力，能够在600 V和30 A条件下承受短路事件，增强了系统的可靠性和安全性。
该SiC FET的栅极驱动电压范围宽广，支持-20 V至+20 V，允许设计者使用标准的栅极驱动器，简化了驱动电路的设计。其栅极电荷（Qg）为100 nC，有助于降低驱动损耗。此外，UJ4SC075018B7S具有良好的温度稳定性，在-55°C至175°C的宽温度范围内保持稳定的性能，适用于极端环境下的应用。
UJ4SC075018B7S广泛应用于各种高功率密度和高效率的电力电子系统中。常见的应用包括电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、快速充电桩、工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及储能系统等。在电动汽车领域，该器件的低导通和开关损耗特性使其成为车载充电和电驱系统中功率模块的理想选择。在工业电源应用中，UJ4SC075018B7S能够显著提高转换效率，减小系统体积和重量，提升整体能效。此外，在可再生能源系统中，如光伏逆变器和储能变流器，该器件的高耐压和低损耗特性有助于提升系统的转换效率和可靠性。由于其优异的热性能和短路保护能力，UJ4SC075018B7S也非常适合用于需要高可靠性和长寿命的工业和汽车应用场合。
SiC FET型号如UnitedSiC的UJ4SC075016K7S、UJ4SC075028K7S以及Qorvo的类似产品可以作为替代选择。
