类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：750V
　　连续漏极电流(Id)：5A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值1.2Ω
　　栅极电荷(Qg)：典型值22nC
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　功率耗散(Pd)：125W

UJ4N075005K4S具有多项优异的电气和物理特性。首先，其750V的高漏源电压使其适用于高压功率转换应用，确保在高电压环境下稳定运行。其次，该MOSFET的导通电阻(Rds(on))最大值为1.2Ω，能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），典型值为22nC，有助于减少开关损耗并提高开关速度。
　　该器件采用TO-247封装，具备良好的热管理和散热性能，适合高功率密度设计。UJ4N075005K4S还具有高雪崩能量耐受能力，能够在突发高压或电流尖峰情况下保持稳定运行，提高系统可靠性。此外，其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）确保在极端环境条件下仍能正常工作，适用于工业和汽车应用。
　　器件内部的沟槽栅极技术不仅提高了导通性能，还优化了开关特性，减少了开关过程中的能量损耗。这使得UJ4N075005K4S非常适合用于高频开关电路，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和逆变器等。同时，该MOSFET具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够有效降低电磁干扰（EMI），提升整体系统的电磁兼容性。

UJ4N075005K4S广泛应用于多个高功率和高压领域。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、工业自动化设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效能的功率转换，减少能量损耗，提高整体系统效率和稳定性。
　　在开关电源设计中，UJ4N075005K4S可以作为主开关器件，提供高效率和低导通损耗。在电机驱动应用中，该器件能够承受高电压和高电流，实现快速开关控制，提高电机运行的平稳性和响应速度。此外，在电动汽车充电系统中，UJ4N075005K4S的高可靠性和宽温度范围使其能够适应复杂的工作环境，保障充电过程的安全性和稳定性。
　　由于其优异的电气特性和高可靠性，该MOSFET还适用于需要高能效和高稳定性的工业设备，如UPS不间断电源、工业变频器和自动化控制系统。同时，其出色的抗干扰能力也使其适用于高频开关电路和高密度功率模块设计，为现代电子设备提供高效、紧凑的功率解决方案。

STW4N065DM2AG, SPW47N60CFD, FGH40N65SMD