类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：100mA（最大）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：450V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（典型值）
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2SK2833-R具备多项优异的电气特性。首先，其高漏极-源极击穿电压（VDS）可达450V，使其适用于高压开关应用，确保在高电压环境下仍能稳定工作。其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）较低，典型值约为2.5Ω，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，2SK2833-R的栅极-源极电压容限为±30V，具备较强的抗过压能力，提升了器件的可靠性。其低漏极电流（ID）为100mA，适用于中低功率的开关控制电路。该器件的功耗为300mW，具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下运行。
　　封装方面，2SK2833-R常采用SOT-23或TO-92等小型封装，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时具有良好的散热性能。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和消费类电子设备。

2SK2833-R广泛应用于多种电子设备中，尤其适用于需要高压开关控制和低功耗设计的场合。常见应用包括电源管理电路中的开关元件、小型DC-DC升压或降压转换器、LED驱动电路、电池供电设备中的负载开关控制等。
　　此外，该MOSFET也常用于音频功率放大器中的偏置控制电路，以及高频信号开关应用。由于其具备良好的高频响应特性，2SK2833-R在RF（射频）模块和无线通信设备中也有一定的应用潜力。
　　在工业控制领域，2SK2833-R可用于传感器信号切换、继电器驱动和小型电机控制电路中。其小型封装和较高的耐压能力使其成为自动化设备和嵌入式系统中常用的功率开关器件。

2SK3018, 2SK2468, 2SK2834-R