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UJ3D06530TS 发布时间 时间:2025/8/15 13:18:09 查看 阅读:6

UJ3D06530TS是一款由UnitedSiC(现属于Qorvo)制造的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管(MOSFET),专为高效率、高频率和高功率密度的应用设计。该器件采用先进的碳化硅技术,具有出色的导通和开关性能,适用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及服务器电源等高要求的功率转换系统。

参数

类型:碳化硅MOSFET
  漏源电压(VDS):650V
  连续漏极电流(ID)@25°C:30A
  导通电阻(RDS(on)):65mΩ
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-247
  功率耗散(PD):200W
  热阻(RθJC):0.4°C/W

特性

UJ3D06530TS碳化硅MOSFET具备多项显著特性,使其在高性能功率转换系统中表现卓越。首先,其低导通电阻(RDS(on))为65mΩ,使得在高电流条件下的导通损耗大大降低,从而提高整体系统效率。其次,该器件采用了碳化硅材料,相较于传统硅基MOSFET,具有更高的热导率和更小的开关损耗,支持更高的工作频率和更高的功率密度设计。
  此外,UJ3D06530TS具备宽广的栅极电压范围(±20V),增强了器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。其坚固的封装设计(TO-247)确保了良好的散热性能,适用于高功率密度应用。该器件还具有良好的高温工作能力,可在高达175°C的结温下稳定运行,适合用于高温环境或高热应力场合。
  UJ3D06530TS的另一个显著特点是其优异的短路耐受能力,有助于提升系统在异常工作条件下的安全性。该器件在设计上优化了开关行为,减少了开关过程中的电压和电流震荡,降低了电磁干扰(EMI),从而简化了外围电路设计。

应用

UJ3D06530TS适用于多种高功率、高效率的电力电子系统。常见应用包括高效工业电源、服务器电源、不间断电源(UPS)、电动汽车车载充电器(OBC)、充电桩电源模块、太阳能光伏逆变器以及电机驱动系统。由于其优异的开关性能和高温稳定性,特别适合用于需要高频率操作和紧凑散热设计的功率转换设备。此外,该器件也可用于高功率密度的DC-DC转换器和AC-DC整流器模块中,提升系统整体能效和可靠性。

替代型号

SiC MOSFET替代型号包括Qorvo的UJ3C065060K3S、Wolfspeed的C3M0060065J、Infineon的IMZA65R048M1H、STMicroelectronics的SCT2450KE

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UJ3D06530TS参数

  • 现有数量7,896现货
  • 价格1 : ¥58.67000管件
  • 系列Gen-III
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)30A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.7 V @ 30 A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏370 μA @ 650 V
  • 不同?Vr、F 时电容990pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2
  • 供应商器件封装TO-220-2
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C