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PJMF130N65EC_T0_00001 发布时间 时间:2025/8/14 4:02:25 查看 阅读:17

PJMF130N65EC_T0_00001 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET晶体管。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计,以提供高效率和卓越的热性能。这款MOSFET主要用于高功率应用,如电源转换器、电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备。它具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大漏极电流(Id):130A
  导通电阻(Rds(on)):约3.8mΩ
  栅极电荷(Qg):165nC
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-247

特性

PJMF130N65EC_T0_00001 的核心特性之一是其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的Rds(on)约为3.8mΩ,在高电流条件下仍然能够保持较低的功耗,从而减少热量产生并提高整体系统的稳定性。
  此外,该MOSFET具有高达650V的漏源电压额定值,使其适用于高电压环境下的应用,如AC/DC电源转换器和DC/DC变换器。其高耐压能力确保了在恶劣工作条件下的可靠性。
  该器件还具有高电流承载能力,最大漏极电流可达130A,适用于高功率密度设计。同时,其优异的热性能使其能够在高温环境下稳定运行,适用于工业控制、电动车辆和可再生能源系统等要求苛刻的应用场景。
  在开关性能方面,PJMF130N65EC_T0_00001 具有较低的栅极电荷(Qg),约为165nC,这有助于减少开关损耗并提高开关频率,从而实现更紧凑的电路设计和更高的效率。此外,其快速开关能力有助于减少电磁干扰(EMI)并提高系统响应速度。
  该MOSFET采用TO-247封装,具有良好的散热性能,便于安装和使用。TO-247封装广泛应用于高功率设备中,确保了器件在长时间运行下的稳定性和可靠性。

应用

PJMF130N65EC_T0_00001 主要应用于高功率电子系统中,包括但不限于以下领域:电源管理、DC/DC转换器、AC/DC电源适配器、不间断电源(UPS)、电动车辆充电系统、电池管理系统、电机驱动器、工业自动化设备、太阳能逆变器和储能系统等。
  由于其高耐压、低导通电阻和高电流能力,该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。例如,在电动汽车充电器中,PJMF130N65EC_T0_00001 可用于主功率开关,以实现高效的能量转换并减少热量产生。
  在工业自动化设备中,该MOSFET可用于高功率电机控制和驱动电路,提供稳定的电流控制能力。此外,在太阳能逆变器中,它可用于高频开关电路,以提高转换效率并减少系统尺寸。
  在电源管理系统中,该器件可用于多相电源设计,以提供高电流输出并确保系统的稳定性。由于其优异的热性能和高可靠性,PJMF130N65EC_T0_00001 也非常适合在高温或严苛环境下工作的设备中使用。

替代型号

STP130N65M5, IPP130N65R3, IPW65R130CFD

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PJMF130N65EC_T0_00001参数

  • 现有数量2,035现货
  • 价格1 : ¥54.85000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)29A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)130 毫欧 @ 10.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)51 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1920 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)33W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装ITO-220AB-F
  • 封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片