型号：K7I321882M-EC25
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：32Gbit (4GB)
　　组织结构：32,768 blocks × 1,024 pages/blk × 2,112 bytes/pg
　　工艺技术：2xnm MLC NAND
　　接口类型：Parallel NAND Interface
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP-48
　　页面大小：2,112 字节 (2KB + 112B OOB)
　　块大小：128 pages/block
　　编程时间（典型）：300μs/page
　　擦除时间（典型）：2ms/block
　　读取延迟：25μs
　　待机电流：<2mA
　　编程电流：<20mA
　　支持命令集：Standard NAND Commands (Read, Program, Erase, etc.)
　　可靠性：每块可擦写约3,000次（MLC），数据保持期10年@25°C

K7I321882M-EC25作为三星推出的高性能并行NAND闪存器件，具备多项关键技术特性，使其在嵌入式存储应用中表现出色。首先，其采用先进的2x纳米级MLC（Multi-Level Cell）工艺制造，在保证较高存储密度的同时有效控制了芯片功耗与成本。32Gbit（即4GB）的存储容量足以应对大多数中等规模的数据存储需求，如操作系统镜像、文件系统存储、日志记录等应用场景。每个存储页包含2,112字节，其中2KB为主数据区，112字节为OOB（Out-of-Band）区域，可用于存放ECC校验码、坏块标记、逻辑地址映射等管理信息，提升了系统的可靠性和可维护性。
　　该芯片支持标准的异步并行NAND接口，兼容JEDEC NAND Flash标准命令集，包括页读取、页编程和块擦除等操作，方便与各类主控处理器（如ARM、DSP、FPGA等）进行连接。其读取延迟仅为25微秒，编程时间为300微秒每页，块擦除时间为2毫秒，整体性能稳定，适合需要频繁读写操作的场合。内置的ECC支持能力使得外部控制器可以结合硬件或软件ECC算法实现更强的数据保护机制，防止因位翻转导致的数据损坏。
　　在环境适应性方面，K7I321882M-EC25的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，符合工业级应用要求，能够在恶劣环境下长期稳定运行。其TSOP-48封装形式具有良好的焊接可靠性和散热性能，适用于自动化贴片生产流程。此外，该器件具备低功耗设计，在待机模式下电流低于2mA，有助于延长电池供电设备的续航时间。整体而言，这款芯片在容量、速度、可靠性和兼容性之间达到了良好平衡，是许多传统嵌入式系统升级存储方案时的理想选择之一。

K7I321882M-EC25广泛应用于多种需要大容量非易失性存储的电子系统中。常见用途包括工业自动化设备中的程序存储与数据日志记录，例如PLC控制器、HMI人机界面终端和工业网关等设备。在消费类电子产品领域，该芯片可用于智能电视、机顶盒、数码相框和便携式媒体播放器中，用于存储固件、用户设置及缓存数据。此外，由于其具备较高的擦写寿命和数据保持能力，也常被用于车载信息娱乐系统（IVI）、行车记录仪和车载导航设备中，确保关键数据在复杂温变和振动环境下依然安全可靠。
　　在通信设备中，K7I321882M-EC25可用于路由器、交换机和网络附加存储（NAS）设备中，作为配置文件、操作系统镜像或临时数据缓冲的存储介质。医疗电子设备如便携式监护仪、超声设备和血糖仪也可能采用此类NAND闪存来保存患者数据和设备校准信息。同时，该芯片还适用于各种基于单片机或嵌入式Linux系统的智能终端，配合MTD（Memory Technology Device）驱动实现高效的文件系统管理（如YAFFS2、UBIFS）。得益于其标准化接口和成熟的生态系统支持，开发者可以快速完成驱动开发与系统集成，缩短产品上市周期。

K9F4G08U0D-SCB0
　　K9F4G08U0M-PCB0
　　MT29F4G08ABAEA NAND
　　TC58NVG2S0F NAND
　　HY27UF084G2A