时间：2025/8/15 10:39:57
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UJ3D06516TS是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现为Qorvo的一部分）制造的碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（MOSFET）。这款器件基于SiC宽禁带半导体技术，具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能，适用于高效率、高频率和高功率密度的电力电子系统。该器件采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，适合表面贴装工艺。
类型：碳化硅（SiC）MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：16A（在TC=100°C）
导通电阻（RDS(on)）：80mΩ（最大值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TSOP
引脚数：常见为TO-252（DPAK）或类似表面贴装封装
UJ3D06516TS具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其基于SiC材料的特性使其具有更高的击穿电场强度和热导率，相较于传统的硅基MOSFET，能够在更高的温度、电压和频率下运行。其次，该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，UJ3D06516TS具备快速的开关特性，减少了开关损耗，使器件适用于高频功率转换应用。其宽广的工作温度范围也使其在恶劣环境下仍能稳定工作。最后，该器件的栅极氧化层设计能够承受高达±20V的电压，提高了驱动的灵活性和稳定性。
在可靠性方面，UJ3D06516TS通过了严格的工业标准测试，具有良好的长期稳定性和耐用性。其表面贴装封装形式不仅提高了生产效率，还减少了PCB空间占用，适合高密度功率模块设计。
UJ3D06516TS广泛应用于高效率电源系统，如电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动和功率因数校正（PFC）电路。由于其高频工作能力和低损耗特性，该器件特别适用于需要高功率密度和高效率的现代电力电子系统。此外，其优异的热性能使其在高温环境下也能保持稳定运行，适合航空航天、工业自动化和可再生能源等高端应用领域。
UJ3C065080K3S、SiC MOSFET 650V 80A、C3M0065065K、SCT3045KL
