类型：功率MOSFET模块
　　最大漏源电压（Vds）：450 V
　　最大漏极电流（Id）：6 A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2 Ω（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　漏极-源极击穿电压：450 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4 V（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：18 nC（典型值）
　　功耗（Pd）：62 W

UHVM6-450功率MOSFET模块具备优异的电气性能和可靠性，适用于高功率密度设计。其主要特性包括高耐压能力和大电流承载能力，使其能够在高压和高温环境下稳定运行。该模块的低导通电阻有助于降低导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，其先进的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中不会因过热而影响性能。
　　该模块的封装采用标准的TO-247形式，便于在各种电路板上安装和使用。其栅极驱动要求较低，可以与常见的驱动电路兼容，从而简化设计流程。UHVM6-450还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和电机控制应用。此外，其具备较高的抗浪涌电流能力，可以在瞬态负载条件下提供稳定的性能。
　　由于其优异的性能，UHVM6-450广泛用于工业自动化、电源管理、电机驱动、照明系统和可再生能源系统等领域。该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。

UHVM6-450功率MOSFET模块常用于各种高电压和高功率应用，包括工业电机驱动器、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、LED照明系统、光伏逆变器和电动车充电设备等。其高耐压能力和低导通电阻特性使其在需要高效能和高可靠性的系统中表现出色。此外，该模块还适用于需要高频开关的应用，如变频器和功率因数校正（PFC）电路。

TKA6-450,TUHVM6-450,TUHVM6-450A