BA159DG 时间：2025/8/13 19:19:31 阅读：10

BA159DG是一款由Rohm Semiconductor制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件设计用于高频放大和开关应用，具备良好的高频响应和稳定的性能。其封装形式为SOT-23，适用于便携式电子设备和小型化电路设计。BA159DG广泛应用于无线通信、音频放大器、射频（RF）电路以及各种低功率电子设备中。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　封装类型：SOT-23

特性

BA159DG具有良好的高频性能，适用于射频和中频放大器设计。其电流增益范围广泛，可以根据不同的工作条件选择适当的增益值。该晶体管在低电压环境下仍能保持稳定的放大性能，适合用于电池供电设备。此外，其SOT-23封装形式使得该器件易于集成到紧凑型电路板中，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　该晶体管的工作温度范围通常为-55°C至+150°C，适用于工业级和消费级电子设备。其高频率响应特性使其在无线通信系统中表现优异，特别是在低噪声放大器和射频开关电路中。此外，BA159DG的低功耗设计有助于延长便携设备的电池寿命。

应用

BA159DG主要应用于高频放大电路、射频（RF）电路、音频放大器、开关电路以及低功率电子设备。它在无线通信系统、蓝牙模块、Wi-Fi设备、射频识别（RFID）系统以及传感器电路中都有广泛应用。由于其高频响应和低噪声特性，BA159DG也常用于射频信号放大和调制解调电路。此外，该晶体管适用于需要小型化和低功耗设计的便携式电子产品，如智能手机、无线耳机和可穿戴设备。