电容值：680pF
　　容差：±20%
　　额定电压：250VDC
　　电介质材料：C0G (NP0)
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　外壳尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　端接类型：Ni/Sn
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　电容温度特性：Class I
　　符合标准：EIA-198, RoHS compliant

UHV1E681MPD 采用 C0G（也称为 NP0）电介质材料，这是 Class I 类陶瓷电容器中最稳定的一种介质。C0G 材料具有极其优异的温度稳定性，其电容值在整个工作温度范围（-55°C 至 +125°C）内的变化不超过 ±30 ppm/°C，这意味着在实际应用中几乎不会因环境温度波动而导致电路性能漂移。这种高度稳定性使其成为高频谐振电路、振荡器、滤波器和定时电路的理想选择，尤其是在需要长期可靠性和精度维持的精密模拟系统中。相比于 X7R 或 Y5V 等 Class II 和 III 介质，C0G 不仅温度特性优越，而且电压依赖性极小，即使在接近额定电压的工作条件下，电容值也不会显著下降。
　　该器件的额定电压高达 250 VDC，属于高压 MLCC 范畴，能够在高电场强度环境下稳定运行。这对于需要小型化同时承受较高直流偏压的应用尤为重要，例如开关电源中的去耦、跨接电容或缓冲电路。尽管其体积仅为标准 0805 封装，但 Vishay 通过优化内部电极结构和陶瓷层压工艺，实现了在有限空间内提供高击穿电压的能力。此外，UHV 系列采用了先进的制造技术，确保每层陶瓷介质均匀致密，减少缺陷密度，从而提升整体可靠性与寿命。
　　在机械和环境适应性方面，UHV1E681MPD 具备良好的抗热冲击性能和耐湿性，能够经受多次回流焊过程而不损坏。其镍阻挡层端子结构有效防止了银离子迁移现象，提高了在高温高湿条件下的长期稳定性。该器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温储存、温度循环、负载寿命试验等，确保在严苛工业和军事环境中仍能保持性能一致。此外，作为表面贴装器件，它兼容自动化装配流程，有助于提高生产效率并降低制造成本。

UHV1E681MPD 凭借其高电压额定值、卓越的温度稳定性和紧凑的封装尺寸，被广泛应用于多种高性能电子系统中。在射频（RF）和微波电路中，它常用于匹配网络、LC 谐振回路和带通滤波器，因其 C0G 介质不会引入明显的相位噪声或频率漂移，保证信号链路的稳定性。在精密模拟前端设计中，如仪器放大器、ADC 驱动电路和有源滤波器，该电容器可用于旁路和耦合，提供干净的参考电压路径，抑制高频干扰。
　　在电源管理系统中，特别是在隔离式 DC-DC 转换器或反激拓扑结构中，UHV1E681MPD 可用作反馈回路中的补偿电容或初级侧的 RCD 缓冲电路元件，帮助吸收漏感尖峰电压，保护开关管免受过压损伤。由于其 250V 的耐压能力，它也能胜任工业级 PLC 模块、电机驱动控制器和逆变器中的高压节点去耦任务。
　　此外，在医疗设备如超声成像系统、病人监护仪和便携式诊断设备中，该电容器用于关键信号调理电路，确保长时间运行下的精度和安全性。在航空航天与国防领域，其高可靠性和宽温工作能力使其适用于雷达系统、卫星通信单元和飞行控制系统中的滤波与去耦应用。最后，在测试与测量仪器（如示波器、频谱分析仪）中，UHV1E681MPD 因其低失真和高线性度表现，成为构建高精度无源网络的重要组成部分。