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5M40ZE64A5N 发布时间 时间:2025/5/12 10:04:22 查看 阅读:6

5M40ZE64A5N 是一款由三星(Samsung)生产的存储类电子元器件,属于 ZETA 系列的 NAND Flash 芯片。该芯片主要应用于需要大容量存储和高读写速度的设备中,例如固态硬盘(SSD)、嵌入式系统、消费类电子产品等。此型号支持高速接口协议,具备出色的性能和可靠性,适用于工业级和消费级市场。

参数

容量:64Gb
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA
  存储单元结构:3-bit MLC (TLC)
  数据保留时间:10年
  擦写寿命:约 1000 次
  工作温度范围:-25°C 至 +85°C

特性

5M40ZE64A5N 使用 TLC(Triple-Level Cell)技术,每个存储单元可保存 3 位数据,从而实现更高的存储密度。
  该芯片采用 Toggle DDR 2.0 接口协议,提供更快的数据传输速率,能够满足高性能存储应用的需求。
  内置 ECC(Error Correction Code)引擎,可有效纠正数据传输中的错误,提高数据的可靠性和完整性。
  支持多种高级功能,如坏块管理、磨损均衡(Wear Leveling)和数据刷新(Data Refresh),以延长芯片的使用寿命。
  具有低功耗设计,适合对能效要求较高的应用场景。

应用

5M40ZE64A5N 广泛应用于各类需要大容量存储的领域,包括但不限于:
  固态硬盘(SSD)
  USB 闪存盘
  存储卡(如 microSD 卡)
  嵌入式系统(如 IoT 设备、智能家电)
  汽车电子系统
  工业控制设备
  消费类电子产品(如平板电脑、智能电视)

替代型号

5M40ZE64A5K, 5M40ZE64A5P

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5M40ZE64A5N参数

  • 现有数量0现货
  • 价格250 : ¥13.99184托盘
  • 系列MAX? V
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 可编程类型系统内可编程
  • 延迟时间 tpd(1) 最大值7.5 ns
  • 供电电压 - 内部1.71V ~ 1.89V
  • 逻辑元件/块数40
  • 宏单元数32
  • 栅极数-
  • I/O 数54
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-TQFP 裸露焊盘
  • 供应商器件封装64-EQFP(7x7)