时间：2025/10/7 6:36:37
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UHD1A101MDD是一款由Vishay Siliconix生产的高性能、高可靠性硅基氮化镓（GaN-on-Si）场效应晶体管（FET），专为高频、高效率的功率转换应用设计。该器件采用先进的沟道氮化镓技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和优异的热性能，适用于现代电源系统中对尺寸、效率和功率密度要求严苛的应用场景。UHD1A101MDD工作电压为100V，最大连续漏极电流可达30A，适合用于DC-DC转换器、同步整流、服务器电源、电信电源系统以及工业电源模块等。该器件封装于紧凑型PowerPAK? 8x8封装中，具有低寄生电感和优良的散热能力，有助于提升系统整体效率并减少外围元件数量。此外，UHD1A101MDD符合RoHS标准，并具备高抗扰度和雪崩能量耐受能力，确保在恶劣工作环境下的长期稳定运行。其栅极驱动电压范围通常为4.5V至6V，兼容常见的控制器和驱动IC，便于系统集成。
型号：UHD1A101MDD
制造商：Vishay Siliconix
器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：-10 V 至 +7 V
连续漏极电流（ID）@25°C：30 A
脉冲漏极电流（ IDM）：120 A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=6V：10 mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：11 mΩ
阈值电压（VGS(th)）：典型值2.0 V
输入电容（Ciss）：典型值10200 pF
输出电容（Coss）：典型值520 pF
反向恢复电荷（Qrr）：典型值0 C
开关时间（ton/toff）：典型值纳秒级
工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
封装类型：PowerPAK 8x8 mm
安装类型：表面贴装（SMD）
是否符合RoHS：是
UHD1A101MDD的核心优势在于其基于GaN-on-Si技术的材料体系，相较于传统硅MOSFET，具备显著更低的导通损耗和开关损耗。该器件的RDS(on)仅为10mΩ，在100V耐压等级中处于行业领先水平，能够大幅降低传导损耗，提高电源系统的整体能效。其极低的输出电容（Coss）和输入电容（Ciss）使得在高频开关应用中（如MHz级DC-DC变换器）表现出色，减少了开关过程中的能量损耗和电压应力。由于GaN器件为单子器件，不存在体二极管，因此反向恢复电荷（Qrr）几乎为零，彻底消除了传统硅MOSFET在硬开关条件下因反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰问题，从而提升了系统可靠性和EMI性能。
该器件具备快速的开关响应能力，开关时间通常在几纳秒量级，支持更高频率的开关操作，有助于减小磁性元件和电容的体积，实现电源系统的小型化与轻量化。同时，UHD1A101MDD具有良好的热导性能，配合PowerPAK 8x8封装的底部裸露焊盘设计，可有效将热量传导至PCB，提升散热效率，允许器件在高功率密度下持续稳定运行。该器件还具备较强的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护能力，增强了在瞬态过压和浪涌条件下的鲁棒性。此外，其栅极驱动电压兼容主流PWM控制器和专用GaN驱动器，简化了驱动电路设计，降低了系统开发难度。总体而言，UHD1A101MDD凭借其优异的电气性能、高可靠性和紧凑封装，成为下一代高效电源系统的关键器件之一。
UHD1A101MDD广泛应用于对效率和功率密度有极高要求的电力电子系统中。在数据中心和服务器电源领域，它被用于48V转12V或12V转负载点（POL）的DC-DC转换器中，作为同步整流或主开关使用，显著提升转换效率并降低冷却需求。在电信基础设施中，该器件适用于AC-DC整流后级的DC-DC模块，支持高频率运行以缩小滤波元件体积，满足5G基站等设备的空间限制。在工业电源系统中，UHD1A101MDD可用于高效率开关电源（SMPS）、LED驱动电源和激光电源等应用，提供稳定的高功率输出。此外，该器件也适用于太阳能微型逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）辅助电源以及高端消费类电子产品中的快充适配器，尤其是在GaN快充技术日益普及的背景下，其高频、高效的特性能够支持更高的功率输出和更小的产品体积。在测试与测量设备、医疗电源等对噪声和稳定性敏感的应用中，UHD1A101MDD的低EMI特性也有助于提升系统性能。
EPC2045
GS66508T
LMG3410R050
