电容值：5600 pF (5.6 nF)
　　电容公差：±20%
　　额定电压：630 V DC
　　介质材料：陶瓷（可能为C0G/NP0或高压专用配方）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：±15 ppm/°C 或更低（若为C0G类）
　　绝缘电阻：≥10000 MΩ
　　介质损耗（DF）：≤0.15%
　　耐压能力：可承受短时过压至约1.5倍额定电压
　　封装形式：轴向引线或径向引线陶瓷体
　　外壳防护等级：IP67（视具体封装而定）
　　自愈特性：无（非金属化薄膜类型）
　　寿命稳定性：10万小时以上（在额定条件下）

UHD0J562MHD 高压陶瓷电容器具备卓越的电气稳定性和长期可靠性，特别适合在高电压环境下持续运行。其核心介质采用高性能陶瓷材料，经过精密烧结工艺制成，能够有效抑制介电极化效应，从而实现极低的介电吸收率和高度线性的电容响应，这对于精密模拟信号处理和高压采样电路至关重要。该器件在宽温度范围内表现出色，电容值变化极小，即使在-55°C到+125°C的工作区间内也能维持±15ppm/°C以内的温度系数，确保系统参数不会因环境波动而产生显著漂移。其高达630V DC的额定电压使其可用于中等高压电源滤波、放电回路和脉冲能量存储等场景。
　　该电容器具有出色的绝缘性能，典型绝缘电阻超过10000 MΩ，漏电流极低，在长时间施加高压时仍能保持稳定工作状态，避免热失控风险。同时，其介质损耗角正切值（tanδ）低于0.15%，意味着能量损耗极小，效率高，尤其适用于高频高压交流应用，例如谐振变换器或感应加热电路中的谐振电容。机械结构方面，UHD0J562MHD 采用坚固的陶瓷本体与金属化电极结合的设计，外部通常涂覆高强度环氧树脂或硅胶涂层，提供良好的防潮、防尘和抗振动能力，可在恶劣工业环境中长期服役。
　　该器件支持自动插件或表面贴装工艺，兼容现代SMT生产线，提升了制造效率。由于其非磁性特性，不会对周边敏感电路造成电磁干扰，适用于医疗设备、测试仪器等对EMI敏感的应用领域。此外，产品符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，支持无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子产品制造要求。整体而言，UHD0J562MHD 在高压稳定性、温度适应性、安全性和制造兼容性之间实现了良好平衡，是高端工业与医疗电子系统中的关键元件之一。

UHD0J562MHD 高压陶瓷电容器主要应用于对电气性能和可靠性要求极高的工业与专业电子设备中。在医疗电子领域，它常用于X射线成像系统、CT扫描仪和电外科设备中的高压脉冲生成与储能电路，负责在短时间内释放大量能量以激发X射线管或执行组织切割操作，其快速充放电能力和高绝缘特性确保了设备的安全与精准控制。在工业电源系统中，该电容器被广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC变换器和高压偏置电源中，作为滤波、耦合或去耦元件，有效抑制电压纹波并提升系统稳定性。
　　在激光技术领域，UHD0J562MHD 被集成于固态激光器和光纤激光器的泵浦驱动电路中，承担脉冲整形与能量存储功能，其低介电损耗和高耐压能力有助于提高激光输出的一致性与效率。此外，在测试与测量仪器如示波器探头、高压分压器和精密电桥中，该电容器因其电容值高度稳定、温度系数极低，常被用作参考标准元件，保障测量精度。
　　在电力电子系统中，该器件可用于IGBT或MOSFET栅极驱动电路中的隔离耦合电容，防止高压反串损坏控制逻辑部分。同时，在感应加热、等离子体发生器和静电除尘设备中，UHD0J562MHD 也发挥着重要作用，用于构建谐振槽路或实现高压交直流隔离。由于其具备良好的高频响应特性，还能在射频功率放大器和通信基站的高压偏置网络中使用。总之，该电容器凭借其高压耐受、低损耗、高稳定等优势，成为多种高端技术装备中不可或缺的核心无源元件。