时间：2025/9/14 12:39:37
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BUK7M9R5-40HX是一款由NXP Semiconductors制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率密度的电源应用设计。该器件采用先进的TrenchPlus技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能。BUK7M9R5-40HX采用紧凑的LFPAK56封装，适用于需要高效能和高可靠性的工业应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：9.5mΩ（最大值，典型值为7.8mΩ）
最大功耗（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56
BUK7M9R5-40HX具备多项显著特性。首先，其低导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。其次，该MOSFET采用了NXP先进的TrenchPlus技术，优化了器件的导通和开关性能，使其在高频应用中表现优异。
此外，BUK7M9R5-40HX的LFPAK56封装不仅提供了紧凑的尺寸，还具有出色的热管理能力，能够有效散热，确保器件在高负载条件下稳定运行。这种封装还支持双面散热，进一步提高了热性能。
该器件还具有高可靠性和耐久性，能够承受极端的温度和工作条件。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。
此外，BUK7M9R5-40HX具有较高的雪崩能量耐受能力，能够有效防止因电压尖峰引起的损坏，从而提高系统的稳定性和寿命。
BUK7M9R5-40HX广泛应用于各种高功率密度和高效能的电源系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统以及汽车电子设备。由于其卓越的性能和可靠性，它特别适合用于工业电源、服务器电源、电信基础设施以及电动汽车的电力管理系统。
在DC-DC转换器中，BUK7M9R5-40HX的低导通电阻和快速开关特性使其能够实现高效的电压转换，降低系统损耗。而在电机驱动器和电池管理系统中，该器件的高电流承载能力和热稳定性确保系统在高负载条件下仍能稳定运行。
此外，该MOSFET还常用于同步整流电路中，以提高转换效率并减少热量产生。在汽车电子应用中，例如车载充电器和电池管理系统，BUK7M9R5-40HX的高可靠性和宽工作温度范围使其成为理想的选择。
IPB015N04LC G, SQJQ125EP-T1_GE3
