AON6426 时间：2025/8/2 8:00:42 阅读：35

AON6426是一款由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）公司制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高效率和优异的热性能。AON6426主要用于电源管理和DC-DC转换应用，例如在计算机、服务器、电源适配器和电机控制电路中作为开关元件使用。该MOSFET采用5引脚DFN封装，具备良好的散热能力和紧凑的尺寸，适合高密度和高效率设计需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：100A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：4.8mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：6.8mΩ
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：5-DFN（5.0mm x 6.0mm）

特性

AON6426的核心特性是其极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够显著降低传导损耗，提高系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为4.8mΩ，而在Vgs=4.5V时，Rds(on)也保持在6.8mΩ，这意味着即使在较低的驱动电压下，器件仍能保持良好的导通性能，适用于低电压控制电路。
　　AON6426采用了先进的Trench MOSFET技术，这种结构优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性和可靠性。该MOSFET具有良好的热稳定性，封装设计允许其在高功率条件下运行而不至于过热，其5-DFN封装具备优异的散热能力，可有效降低热阻。
　　该器件的封装尺寸为5.0mm x 6.0mm，适合高密度PCB布局。其额定漏极电流高达100A，在实际应用中可以支持大功率负载，如电机驱动、电源转换器和负载开关等。AON6426还具备出色的抗雪崩能力和过载保护特性，确保在极端工作条件下依然稳定运行。

应用

AON6426广泛应用于各种电源管理系统，特别是在需要高效率和高电流承载能力的场合。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、服务器和计算机电源、电池管理系统、电机控制电路、LED驱动器以及工业自动化设备中的功率开关。
　　在同步整流DC-DC转换器中，AON6426可以作为高边或低边开关，有效降低导通损耗并提高整体转换效率。在服务器和计算机电源中，它用于提供稳定的电源转换和负载调节，确保系统在高负载条件下的稳定运行。
　　此外，AON6426也适用于电池管理系统中的充放电控制，能够有效提高电池的使用寿命和安全性。在电机控制电路中，该MOSFET可用于驱动直流无刷电机或步进电机，提供高效的功率输出。在LED照明系统中，它可用作恒流驱动开关，实现高效的光源控制。