类型：SiC肖特基二极管
　　配置：单芯片
　　反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：75A（@8.3ms单半波）
　　正向电压（VF）：1.7V（典型值，@10A, 25°C）
　　反向漏电流（IR）：250μA（最大值，@650V, 150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DFN-5L（热增强型）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　极性：单通道
　　热阻（RθJC）：约1.5°C/W
　　反向恢复时间（trr）：0ns（无反向恢复电荷）
　　栅极电荷（Qrr）：0C（理想肖特基特性）

UH8105G-AE3-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料所实现的一系列卓越电气特性。首先，该器件具有极低的正向导通压降（VF），在10A工作电流下典型值仅为1.7V，显著低于传统硅基PIN二极管，从而大幅降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这一特性在高负载持续运行的应用中尤为重要，如PFC电路和DC-DC变换器中，能够有效减少发热并提升能效等级。其次，作为一款真正的肖特基势垒二极管，UH8105G-AE3-R不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复电荷（Qrr）为零，反向恢复时间（trr）也为零。这意味着在高频开关操作中不会产生反向恢复电流尖峰和相关的开关振铃现象，极大减少了电磁干扰（EMI）和开关损耗，使电源系统能够在更高频率下稳定运行，同时简化了EMI滤波器的设计复杂度。
　　此外，该器件可在高达+175°C的结温下安全工作，展现出卓越的热稳定性与高温可靠性。这使其非常适合部署在密闭空间或高温环境中，例如车载电子设备或工业电源模块内部。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）也保证了在极端气候条件下的长期稳定性。封装方面，DFN-5L是一种热增强型塑料封装，底部带有裸露焊盘，可通过PCB大面积接地铜箔实现高效散热，降低系统热阻，提升功率密度。该封装还具备低寄生电感结构，有助于抑制高频开关过程中的电压过冲和振荡问题，提高系统的鲁棒性。最后，UH8105G-AE3-R具备高达75A的非重复浪涌电流承受能力，表明其在应对输入端短路或冷启动等瞬态事件时具有较强的耐受力，提升了整个电源系统的可靠性和寿命。

UH8105G-AE3-R广泛应用于各类高效、高功率密度的电力转换系统中。在通信电源和服务器PSU中，它常用于有源钳位反激（ACF）、LLC谐振变换器及图腾柱PFC拓扑中作为输出整流或辅助整流元件，凭借其零反向恢复特性显著提升轻载与满载效率，满足80 PLUS钛金等高能效认证要求。在可再生能源领域，该器件被集成于光伏（PV）微型逆变器和组串式逆变器的直流侧旁路或主功率路径中，利用其高温耐受性和低损耗特性延长系统使用寿命并提高能量转化率。对于电动汽车基础设施，UH8105G-AE3-R可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的次级整流环节，在高频率软开关拓扑中发挥关键作用，支持更高功率等级的小型化设计。工业应用方面，该二极管适用于工业电源、UPS不间断电源、电机驱动器中的续流与箝位功能，尤其是在紧凑型设计中替代传统硅快恢复二极管以提升整体效率。此外，由于其小型化DFN封装和优良的热性能，也适合自动化生产线上的回流焊工艺，便于大规模制造与自动化装配。其高可靠性与长寿命特性进一步增强了工业设备的整体耐用性。

Wolfspeed C4D10065A
　　ON Semiconductor FFSH1065B
　　Infineon IDW10G65C
　　STMicroelectronics STPSC10H065Y}