UGF19060 时间：2025/9/11 8:04:12 阅读：9

UGF19060 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率的功率转换和开关应用。该器件设计用于在高频率和高电压条件下工作，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：190A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 2.7mΩ（在 Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

UGF19060 具备出色的导通性能和开关性能，这得益于其低导通电阻和快速的开关速度。这种低 Rds(on) 特性减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。
　　该 MOSFET 采用先进的沟槽式栅极结构，提供了良好的热稳定性和较高的电流承载能力。此外，其封装设计优化了热管理，使得在高负载条件下也能保持较低的结温。
　　UGF19060 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），使其适用于多种驱动电路设计，包括使用标准逻辑电平的控制器。该器件还具备较强的抗雪崩击穿能力，提升了在高能量开关应用中的可靠性。
　　该器件符合 RoHS 标准，并具有无铅封装选项，满足现代电子制造的环保要求。此外，其高耐用性和稳定性使其在恶劣环境中也能可靠运行。

应用

UGF19060 常用于各种高功率电子系统中，例如：开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和负载开关控制等。
　　在电源管理领域，UGF19060 用于高效率的功率转换，例如在服务器电源、电信设备电源和工业自动化设备中。其高电流能力使其适用于高功率密度设计。
　　在电机控制方面，UGF19060 可用于 H 桥电路中的高边和低边开关，提供高效的电机驱动能力。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及电动汽车中的功率管理系统。