时间：2025/5/7 13:24:26
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SI7119DN 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，能够提供更低的导通电阻和更高的效率，适用于各种高效率开关应用。其封装形式为 ThinPAK 3x3，具有极佳的热性能和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的设计。
该型号 SI7119DN-T1-GE3 属于工业级产品，工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C），使其在极端环境下的表现依然稳定可靠。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：26A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：28nC（典型值）
输入电容：1140pF（典型值）
总耗散功率：14W（在 θJA=45°C/W 时）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 小型化封装（ThinPAK 3x3），节省 PCB 空间。
4. 高雪崩耐量和鲁棒性，能够在严苛条件下稳定工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 宽工作温度范围，适应各种工业场景。
该功率 MOSFET 广泛应用于需要高效能、快速开关的场合，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动和电池管理系统的功率级控制。
4. 电信设备及数据通信中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率调节电路。
6. 电动工具和汽车电子中的功率转换模块。
SI4476DY, IRF7843TRPBF, FDP5500AN
