类型：MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：190V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.085Ω（典型值）
　　封装类型：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　最大功耗（PD）：125W
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：190V
　　输入电容（Ciss）：约1400pF
　　输出电容（Coss）：约300pF

UGF19030P MOSFET具有多项高性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。其次，190V的漏极-源极击穿电压使该器件适用于高压应用，如高功率开关电源和电机控制电路。此外，UGF19030P采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能，确保在高功率运行条件下的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET的高电流承载能力和良好的热管理特性使其能够在苛刻的环境条件下运行，同时具备较长的使用寿命。UGF19030P的栅极驱动要求较低，支持快速开关操作，从而减少开关损耗，提高系统响应速度。其设计还具备良好的抗过载和短路能力，适用于工业和汽车电子系统中常见的高可靠性需求。

UGF19030P MOSFET广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及高功率LED驱动电路。由于其高电压和高电流特性，该器件常用于工业控制设备、电源模块、电动工具和汽车电子系统。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，UGF19030P也被用于功率调节和能量转换环节。此外，它还可用于UPS（不间断电源）和电信电源系统，提供高效、可靠的功率管理解决方案。

IRFZ44N, FQP30N06L, STP30NF06, IRLZ44N