类型：功率MOSFET模块
　　拓扑结构：半桥
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.38Ω
　　栅极电荷（Qg）：100nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：模块式封装
　　安装方式：螺钉安装
　　功率耗散：120W

IRM-3738M 模块具有多项优异的电气和热性能，适用于高要求的功率转换应用。其主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。模块内部采用半桥拓扑结构，集成高边和低边MOSFET，便于构建DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器电路。该模块支持高达600V的漏源电压和18A的连续漏极电流，能够满足中高功率应用的需求。此外，其较低的栅极电荷（Qg）使得开关速度更快，从而减少了开关损耗，适用于高频工作环境。IRM-3738M 的模块封装具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，并且采用螺钉安装方式，便于散热器的固定和散热。该器件符合工业级温度范围（-55°C 至 +150°C），适用于各种恶劣工作环境。
　　在可靠性方面，IRM-3738M 采用了高耐用性的封装材料和内部结构设计，具备较强的抗震动和抗热循环能力。模块内部的MOSFET器件经过优化，能够在高dv/dt条件下保持稳定运行，减少电磁干扰（EMI）。此外，该模块的封装设计也有助于提高绝缘性能，确保在高电压应用中的安全性和稳定性。IRM-3738M 还具有较强的短路耐受能力，可在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，从而提高系统的鲁棒性。

IRM-3738M 主要用于需要中高功率密度和高效能的电力电子设备中。典型应用包括高频开关电源（如DC-DC转换器）、电机驱动器（如无刷直流电机控制器）、逆变器（如UPS不间断电源、太阳能逆变器）、电焊设备以及工业自动化控制系统。由于其具备较高的工作电压和较大的电流承载能力，它也常用于需要频繁开关操作和高效率转换的功率电子系统中。此外，IRM-3738M 的模块化设计便于安装和散热管理，适用于空间受限但要求高可靠性的应用场景。

IRM-4145M, IRF1505, IRFP4668