时间：2025/5/10 9:47:07
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STP25NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道MOSFET，采用TO-220封装。这款MOSFET以其高耐压和低导通电阻特性著称，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率切换的场景。其最大漏源电压为600V，连续漏极电流为25A（在特定条件下），非常适合中高功率应用。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：25A
栅极阈值电压：4V至8V
导通电阻：3.1Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：270W
工作结温范围：-55℃至150℃
STP25NM60N具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，适合高压电路环境。
2. 低导通电阻，有助于降低功率损耗并提升效率。
3. 快速开关性能，减少开关损耗。
4. 强大的雪崩能力，提高了器件在异常情况下的可靠性。
5. 紧凑的TO-220封装设计，便于散热和安装。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
这些特性使得STP25NM60N成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
STP25NM60N适用于多种应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电机驱动控制，包括步进电机和直流电机。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）。
4. 工业自动化设备中的功率开关。
5. 电动汽车充电器和其他高功率密度应用。
由于其高耐压和大电流处理能力，STP25NM60N能够胜任各种复杂和苛刻的工作条件。
STP25NF60,
IRFZ44N,
FDP5800
