UGD6123AG 时间：2025/8/5 22:07:01 阅读：25

UGD6123AG是一款广泛应用于功率MOSFET和IGBT驱动的双通道高压栅极驱动器集成电路，由半导体公司生产。该芯片采用高压工艺制造，具备高耐压、高可靠性和强抗干扰能力，适用于各种需要高边和低边驱动能力的电源转换系统，如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和UPS系统等。UGD6123AG的两个驱动通道分别支持高端和低端MOSFET/IGBT器件的独立控制，确保在高频开关应用中实现高效、稳定的驱动性能。

参数

封装类型：SOIC-16
　　电源电压（VDD）：10V至20V
　　高压侧浮动电压（VS）：-5V至+600V
　　输出驱动能力：高端和低端均为0.5A/0.5A（典型值）
　　传播延迟时间：120ns（典型值）
　　上升/下降时间：15ns/10ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　输入信号兼容性：3.3V、5V和15V逻辑电平
　　欠压锁定保护（UVLO）：有
　　封装热阻（RthJA）：80°C/W
　　ESD耐受能力：4kV（HBM）

特性

UGD6123AG具备多项关键特性，以满足高压功率驱动应用的高要求。首先，其采用了高压浮动结构设计，使高端驱动器能够在高侧电压浮动至600V的情况下稳定工作，适用于多种拓扑结构，如半桥和全桥电路。其次，该芯片内部集成自举二极管，简化了外围电路设计并提高了系统集成度。
　　该驱动器具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于安全阈值时，自动关闭输出以防止功率器件误操作，从而提高系统的可靠性与安全性。此外，UGD6123AG具有较低的传播延迟（约120ns）和快速的上升/下降时间，支持高频开关应用，减少开关损耗，提高电源转换效率。
　　芯片输入端兼容多种逻辑电平（3.3V、5V及15V），便于与各类控制器（如MCU、DSP或PWM控制器）连接。其封装具备良好的热性能，确保在高负载条件下也能稳定运行。同时，UGD6123AG具备较强的抗噪声干扰能力，能够有效防止误触发，提升整体系统稳定性。

应用

UGD6123AG广泛应用于各种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、LED照明驱动电源以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压能力和双通道独立驱动特性，该芯片特别适用于需要高频开关和高效率的电源变换系统。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，UGD6123AG也可用于驱动高压MOSFET或IGBT器件。