H5TC2G83BFR-H9A 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度存储器,广泛应用于需要大容量内存和高性能数据传输的设备,例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及计算机外设等。这款DRAM芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有较高的稳定性和较小的PCB空间占用,适用于紧凑型电子产品的设计。
容量:2Gbit
组织结构:x8/x16
电压:1.8V
接口类型:Parallel
封装类型:FBGA
封装尺寸:54-ball FBGA
温度范围:-40°C to +85°C
工作频率:最大166MHz
数据速率:166MHz
H5TC2G83BFR-H9A 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,适用于对功耗和性能都有较高要求的应用场景。其1.8V的低电压设计降低了整体功耗,使其更适合移动设备使用。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,有效减少了外部控制器的负担,提高了系统的稳定性。
此外,H5TC2G83BFR-H9A 采用先进的CMOS制造工艺,具备良好的电气特性和稳定性。其54-ball FBGA封装形式不仅减少了PCB布局的复杂度,还提升了散热性能,适用于高密度电路板设计。
H5TC2G83BFR-H9A 主要用于以下领域:
? 移动设备:如智能手机和平板电脑,用于提供快速的数据存取和缓存功能
? 嵌入式系统:如工业控制设备、智能家电和物联网设备,用于处理和存储实时数据
? 计算机外设:如显卡、SSD控制器等,用于提升数据处理速度和系统响应能力
? 汽车电子:如车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS),用于提供可靠的内存支持
? 网络设备:如路由器和交换机,用于提高数据包处理效率和系统性能
H5TC2G83BFR-H9C, H5PS2G83BFR-H9CSR