H5TC2G83BFR-H9A 时间：2025/9/2 6:48:24 阅读：22

H5TC2G83BFR-H9A 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度存储器，广泛应用于需要大容量内存和高性能数据传输的设备，例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及计算机外设等。这款DRAM芯片采用BGA（球栅阵列）封装，具有较高的稳定性和较小的PCB空间占用，适用于紧凑型电子产品的设计。

参数

容量：2Gbit
　　组织结构：x8/x16
　　电压：1.8V
　　接口类型：Parallel
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　温度范围：-40°C to +85°C
　　工作频率：最大166MHz
　　数据速率：166MHz

特性

H5TC2G83BFR-H9A 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，适用于对功耗和性能都有较高要求的应用场景。其1.8V的低电压设计降低了整体功耗，使其更适合移动设备使用。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有效减少了外部控制器的负担，提高了系统的稳定性。
　　此外，H5TC2G83BFR-H9A 采用先进的CMOS制造工艺，具备良好的电气特性和稳定性。其54-ball FBGA封装形式不仅减少了PCB布局的复杂度，还提升了散热性能，适用于高密度电路板设计。

应用

H5TC2G83BFR-H9A 主要用于以下领域：
　　? 移动设备：如智能手机和平板电脑，用于提供快速的数据存取和缓存功能
　　? 嵌入式系统：如工业控制设备、智能家电和物联网设备，用于处理和存储实时数据
　　? 计算机外设：如显卡、SSD控制器等，用于提升数据处理速度和系统响应能力
　　? 汽车电子：如车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS），用于提供可靠的内存支持
　　? 网络设备：如路由器和交换机，用于提高数据包处理效率和系统性能