时间：2025/4/27 9:54:47
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UG4KB100 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用了先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统效率并降低热损耗。
这款器件主要针对高电压应用设计，额定耐压高达100V，同时具备强大的电流承载能力。其封装形式通常为TO-220或TO-252，便于散热管理，适合需要高效功率转换的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极电荷：12nC
开关时间（开启/关闭）：30ns/15ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
UG4KB100 具备以下主要特性：
1. 高击穿电压：额定100V，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻：典型值为75mΩ，减少了功率损耗。
3. 快速开关性能：栅极电荷小，开关速度快，有助于提高工作效率。
4. 强大的过流保护能力：内置短路保护机制，提高了系统的可靠性。
5. 宽工作温度范围：从-55℃到+175℃，适用于各种恶劣环境。
6. 小型化封装：采用标准TO-220封装，方便散热且节省空间。
这些特性使得UG4KB100成为众多功率转换和驱动应用的理想选择。
UG4KB100 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：用于AC-DC和DC-DC转换器中，提供高效的功率传输。
2. 电机驱动：支持无刷直流电机和其他类型电机的驱动控制。
3. LED驱动器：用于高亮度LED照明系统的恒流控制。
4. 工业自动化：在工业控制设备中用作功率开关。
5. 汽车电子：适用于汽车中的负载切换和电源管理。
由于其高效率和可靠性，UG4KB100在各类电力电子应用中表现优异。
IRFZ44N
STP80NF10
FDP5802
