时间：2025/5/8 9:07:07
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UG2KB100G 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料制造的功率 MOSFET 芯片。该芯片以其卓越的开关性能、高效率和高温稳定性而闻名，适用于高频和高功率应用领域。其先进的封装设计有助于提升散热性能，从而提高整体系统可靠性。这款器件广泛应用于电动汽车充电站、太阳能逆变器以及工业电源等领域。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：100A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：30nC
开关频率：100kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
UG2KB100G 具有出色的电气性能和热管理能力。它采用了最新的 SiC 技术，使得导通损耗和开关损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。此外，该芯片还具备快速的开关速度，能够有效减少电磁干扰 (EMI)，并且能够在极端温度条件下稳定运行。
在实际应用中，UG2KB100G 的低导通电阻特性可以大幅降低功耗，同时其高耐压能力确保了在高压环境下的安全操作。另外，由于其支持高达 175℃ 的结温，因此非常适合对散热要求较高的场合。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 电动汽车充电桩
3. 太阳能光伏逆变器
4. 不间断电源 (UPS)
5. 工业电机驱动
6. 高频开关电源
C2M0160120D
FFSH100R12KE4
STPSC100H12T4
