时间：2025/4/29 15:17:08
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MMSZ4678T1G是一种硅雪崩整流二极管，具有高反向击穿电压和低漏电流的特点。这种二极管通常用于过压保护、电源电路中的电压钳位以及开关电源设计中。
该器件采用了先进的制造工艺，能够在高频和高速切换应用中提供稳定的性能表现。其封装形式为SOD-323（DO-214AC），体积小巧，适合于表面贴装技术（SMT）生产。
最大反向工作电压：53V
击穿电压：46.7V
正向电流：10mA
峰值脉冲功率：400W
结电容：2pF
存储温度范围：-65℃至+150℃
工作温度范围：-55℃至+150℃
MMSZ4678T1G的主要特点是其高精度的击穿电压和快速响应时间，使其非常适合在瞬态电压抑制和信号箝位应用中使用。
它还具备低动态阻抗和出色的热稳定性，从而确保在各种环境条件下的可靠运行。
此外，由于采用了小型化的SOD-323封装，该元件能够节省PCB空间，并且易于集成到现代电子设备中。
这种二极管广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备和通信系统中。
具体应用场景包括：
- 开关电源中的电压箝位
- 电机驱动器中的过压保护
- 数据线接口保护
- LCD显示器背光电路中的稳定电压源
- 高频信号路径中的缓冲与隔离
MMSZ4678BT1G
MMSZ4678EUT1G
1N5918B
