类型：肖特基二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：100 V
　　最大直流阻断电压（VR）：100 V
　　平均整流电流（IO）：200 mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：0.5 A
　　最大正向电压（VF）：800 mV（在 200 mA 条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：100 μA（在 100 V、25°C 条件下）
　　工作结温范围（TJ）：-65 °C 至 +125 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-65 °C 至 +150 °C
　　封装/外壳：SOD-323
　　安装类型：表面贴装（SMD）

UG1H 具备出色的电学特性，尤其体现在其低正向导通压降和快速恢复时间方面。该器件的最大正向电压仅为 800 mV，在 200 mA 的工作电流下即可实现高效能量转换，显著降低功率损耗，提高系统整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长续航时间。其反向恢复时间极短，通常小于 1 ns，这意味着在高频开关应用中几乎不会产生明显的开关损耗或电磁干扰，从而提升电路的工作稳定性与响应速度。此外，UG1H 在高温环境下仍能保持良好的性能表现，最大工作结温可达 +125°C，适合在恶劣热环境中长期运行。
　　该器件采用先进的硅肖特基工艺制造，确保了高度一致性和长期可靠性。其反向漏电流控制在较低水平，典型值为 100 μA（在 100 V 和 25°C 条件下），即使在高温条件下也能维持相对稳定的漏电流水平，避免因漏电增加而导致的功耗上升问题。UG1H 的 SOD-323 封装不仅体积小巧（仅约 1.7 mm × 1.25 mm × 1.1 mm），而且具有良好的散热性能，便于在高密度 PCB 布局中使用。引脚结构优化设计降低了寄生电感和电阻，有助于进一步提升高频性能。此外，该器件通过 AEC-Q101 认证的可能性较高（需查阅最新规格书确认），可用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。所有材料均符合 RoHS 和无卤素标准，支持环保生产流程。

UG1H 肖特基二极管广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高效、小型化和低功耗解决方案的场合。常见应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元，用于防止反向电流和实现电压箝位保护。在 DC-DC 升压或降压转换器中，UG1H 可作为续流二极管使用，凭借其低 VF 特性减少能量损失，提高转换效率。它也常用于逆变器电路、LED 驱动电源以及太阳能充电控制器中，发挥其快速响应和高耐压的优势。在信号处理电路中，UG1H 可用作高频检波或整流元件，适用于射频信号解调等场景。此外，该器件还可用于各种嵌入式系统中的电源轨隔离、电池充放电保护以及瞬态电压抑制电路。由于其小型封装和高可靠性，UG1H 特别适合自动化贴片生产线，满足大批量制造的需求，在工业控制、通信模块和汽车电子辅助系统中均有广泛应用。

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　　 "BAS40-04",
　　 "PMDS3"
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