类型：SiC 肖特基二极管
　　配置：单路
　　反向重复电压（VRRM）：650 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：2 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：40 A
　　最大正向电压（VF）：1.7 V @ 2 A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：100 μA @ 650 V, 25°C
　　工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
　　封装/外壳：MPE
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　极性：单二极管
　　湿度敏感等级（MSL）：1（无限制）
　　符合标准：AEC-Q101, RoHS
　　极性标识：阴极条纹标记

UFZ24NL-AA3-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料的肖特基势垒结构，这一技术从根本上消除了传统PN结二极管所固有的少数载流子存储效应和反向恢复行为。由于不存在反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），该器件在高频DC-DC转换器、图腾柱PFC电路以及LLC谐振变换器等应用中表现出极低的开关损耗，从而显著提升整体系统效率并降低电磁干扰（EMI）。尤其是在轻载或部分负载工况下，效率增益更为明显，有助于满足日益严格的能源规范要求。
　　该器件可在高达+175°C的结温下持续工作，展现出卓越的热稳定性。相较于硅基器件通常85–125°C的最大结温，UFZ24NL-AA3-R允许设计人员减少散热器尺寸甚至无需额外散热措施，从而实现更紧凑的电源设计。其低正向导通压降（典型值1.7V @ 2A）进一步减少了导通损耗，即使在大电流条件下也能保持较低温升。此外，SiC材料具有更高的临界击穿电场强度，使得器件在650V耐压等级下仍能保持较薄的漂移层，优化了动态性能和可靠性。
　　MPE封装是一种小型化的表面贴装封装，具有低寄生电感和优良的热传导性能。其双引线扁平设计不仅有利于自动拾取和放置（Pick-and-Place）设备操作，还通过缩短内部连接路径降低了电磁干扰风险。该封装符合JEDEC MS-012标准，具备良好的焊接可靠性和机械强度，适合在振动和温度循环频繁的环境中使用，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块和电机驱动系统。此外，器件通过AEC-Q101认证，证明其在高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环等应力测试中均能满足汽车级质量要求，确保长期运行的稳定性与安全性。

UFZ24NL-AA3-R广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用场景包括车载充电机（OBC）中的PFC升压级和DC-DC输出整流级，其零反向恢复特性可大幅降低开关节点振铃现象，提升系统EMI表现。在工业电源领域，该器件用于服务器电源、电信整流器和光伏逆变器的次级侧同步整流或辅助电源整流，帮助实现95%以上的转换效率。此外，在高密度USB-PD快充适配器中，UFZ24NL-AA3-R凭借其小尺寸和高效能，成为构建GaN+SiC混合架构的理想选择，配合氮化镓（GaN）功率晶体管实现全高频软开关拓扑。其耐高温特性也适用于电机驱动器中的续流二极管或钳位电路，尤其在封闭式或自然冷却环境下更具优势。其他应用还包括LED驱动电源、不间断电源（UPS）以及各类高可靠性工业控制设备的电源模块。

UFZ24NL-E3