产品类型：陶瓷电容器
　　电容：2.2pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/外壳：0805（2012 公制）
　　长度：2.0mm
　　宽度：1.25mm
　　高度：1.25mm
　　端接类型：表面贴装（SMD）
　　介质材料：多层陶瓷（MLCC）
　　ESR（等效串联电阻）：典型值低于100mΩ（频率相关）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C·V ≥ 100MΩ·μF
　　电容稳定性：±15% @ -55°C 至 +125°C
　　老化率：典型≤2.5%/decade小时（X7R材质）

UFW1H2R2MDD作为一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），其核心优势在于卓越的电气稳定性和机械可靠性。该器件采用X7R介电材料，这种材料在宽温度范围内表现出优异的电容稳定性，即使在极端环境条件下也能维持电容值的变化在±15%以内，确保电路性能的一致性。这对于需要长期稳定运行的应用场景至关重要，例如电源管理模块、信号调理电路以及精密测量设备。X7R材质相较于Y5V等其他陶瓷介质，在温度变化时的电容波动更小，因此更适合用于对精度有一定要求的耦合和滤波电路。
　　该电容器的结构设计充分考虑了实际使用中的机械应力问题。它采用了镍阻挡层（Ni-barrier）端子结构，有效防止铜离子从电极向陶瓷介质内部扩散，从而显著提升器件的耐久性和寿命。同时，这一设计增强了抗热冲击能力，在回流焊过程中能更好地抵御因温度骤变引起的微裂纹，降低早期失效风险。对于采用自动化贴片工艺的大规模生产而言，这种高可靠性的端接结构有助于提高成品率和产品一致性。
　　UFW1H2R2MDD的小型化封装（0805）使其非常适合高密度PCB布局。尽管体积小巧，但它仍能承受50V的工作电压，具备较高的电压裕量，适用于多种中压应用场景。此外，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频环境下表现良好，可用于高频旁路和去耦，有效抑制噪声和电压波动。在射频电路中，这类电容常被用作匹配网络或滤波元件，帮助优化信号完整性。
　　该器件符合RoHS指令要求，不含铅、镉、汞等有害物质，支持环保型电子制造流程。其端电极经过特殊处理，兼容无铅焊接工艺（如SAC305焊料），可在标准回流焊曲线（峰值温度约260°C）下安全焊接而不损坏。这使得UFW1H2R2MDD不仅满足当前法规要求，也适应未来可持续发展的趋势。

UFW1H2R2MDD多层陶瓷电容器广泛应用于各类电子设备中，尤其适用于需要高稳定性和小型化的场合。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该电容器常用于电源去耦、信号滤波和射频匹配电路，帮助提升系统能效和信号质量。在通信设备领域，包括无线基站、路由器和光模块，UFW1H2R2MDD凭借其良好的高频特性和温度稳定性，被广泛用于高频旁路和阻抗匹配网络，确保信号传输的稳定性与完整性。
　　在计算机及其外设系统中，该器件常见于主板、显卡和内存模块的电源管理单元，用于滤除开关电源产生的高频噪声，保障核心芯片的稳定供电。此外，在工业控制和自动化系统中，由于其宽工作温度范围和高可靠性，UFW1H2R2MDD适用于PLC控制器、传感器接口电路和电机驱动模块，能够在恶劣工业环境中长期稳定运行。
　　汽车电子也是其重要应用方向之一，尽管该型号并非专为AEC-Q200认证设计，但在非动力总成类车载设备中，如信息娱乐系统、车内照明控制和辅助驾驶传感器模块中仍有应用潜力。此外，在医疗电子设备、测试仪器和电源转换器中，UFW1H2R2MDD也因其稳定的电气性能而受到青睐，特别是在需要长期运行且维护成本高的系统中，其高可靠性显得尤为重要。

GRM21BR71H2R2CA01D
　　CL21B2R2CBANNNC
　　C2012X7R1H2R2M