容量：4 Mbit (512 K × 8)
　　接口类型：SPI（四线制，支持Mode 0和Mode 3）
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：最高支持40 MHz
　　写入耐久性：10^14 次读/写周期
　　数据保持时间：超过10年（在最高温条件下）
　　封装类型：8-SOIC
　　备用电流：典型值为15 μA
　　主动电流：典型值为12 mA（在40 MHz SPI频率下）
　　写入周期时间：无延迟写入（字节写入即时完成）

CY14B104NA-ZS45XIT的核心技术是基于铁电存储单元（F-RAM），其存储机制不同于传统依赖电荷存储的非易失性存储器（如EEPROM或Flash）。F-RAM使用铁电材料作为电容介质，在施加电场时可实现极化状态的切换，从而表示逻辑“0”或“1”。这种物理机制不涉及电荷注入或隧穿过程，因此避免了擦写磨损问题，赋予该器件高达10^14次的读写耐久性，远超同类非易失性存储器。此外，由于无需等待编程或擦除周期，F-RAM实现了真正的“即时写入”（No Delay Write），即每次写入操作在数据传输完成后立即生效，无需轮询状态寄存器或等待内部定时。
　　该芯片在功耗方面表现优异，尤其适合电池供电或低功耗应用场景。在待机模式下，其典型电流仅为15μA，而在主动读写过程中也仅消耗约12mA（在40MHz时），显著低于同等容量的串行闪存。这不仅延长了系统电源寿命，也减少了散热需求。CY14B104NA-ZS45XIT支持标准SPI协议，兼容Mode 0和Mode 3，允许与广泛的微控制器无缝对接，简化了硬件设计和软件开发流程。其内置的写保护功能可通过软件指令或硬件WP引脚控制，防止意外数据修改，增强系统数据完整性。
　　在数据保持能力方面，该器件可在-40°C至+85°C的工作温度范围内确保超过10年的数据保存时间，即使在高温环境下也能维持可靠的数据存储。此外，F-RAM对高能辐射和电磁干扰具有较强的抵抗能力，使其适用于工业自动化、汽车电子和医疗设备等对可靠性要求极高的领域。芯片还集成了上电复位电路，确保在电源建立期间处于安全状态，避免误操作。整体而言，CY14B104NA-ZS45XIT以其高耐久性、快速写入、低功耗和高可靠性，成为替代传统EEPROM和NOR Flash的理想选择，特别是在需要频繁记录传感器数据、日志信息或配置参数的系统中表现出色。

CY14B104NA-ZS45XIT广泛应用于需要高速、高耐久性和非易失性数据存储的系统中。常见用途包括工业PLC中的实时数据采集与日志记录，用于保存设备运行状态、故障代码和工艺参数；在汽车电子中，可用于仪表盘配置存储、驾驶习惯记忆、事件记录器（Event Data Recorder）等场合，确保关键信息在断电后不丢失；在医疗设备中，用于存储患者治疗记录、设备校准数据和操作日志，满足高可靠性和长寿命的要求；在智能仪表（如水表、电表、气表）中，频繁记录用量数据，利用其无限写入能力避免存储器磨损问题；此外，该芯片也适用于POS终端、打印机、网络通信模块和嵌入式控制系统，用于保存固件配置、安全密钥或交易记录。其SPI接口的通用性使其易于集成到现有MCU架构中，特别适合取代传统串行EEPROM以提升系统性能和可靠性。

FM25V05-GTR
　　CY15B104QN-ZS45XI
　　IS25LP040D-JNLE