时间：2025/7/26 7:12:23
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UFS515GE3/TR13是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现为Qorvo的一部分）制造的SiC（碳化硅）功率MOSFET，具有高效率和低导通损耗的特点。该器件适用于高功率密度和高开关频率的应用场景，例如电动汽车（EV）车载充电器、光伏逆变器和工业电源系统。
类型：SiC MOSFET
最大漏极电流（ID）：515A
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：13mΩ（典型值）
封装类型：双面散热（DSHV）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
UFS515GE3/TR13采用先进的碳化硅技术，具有优异的热性能和高效的开关能力。其低导通电阻显著减少了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件支持高开关频率操作，使设计人员能够减小磁性元件的尺寸和重量，适用于高功率密度应用。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，增强了系统在极端条件下的可靠性。双面散热封装设计进一步优化了热管理，确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。
该器件的栅极驱动电路兼容标准12V和15V栅极驱动器，简化了驱动电路的设计并降低了成本。同时，其内部结构优化减少了寄生电感，有助于降低开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。这些特性使得UFS515GE3/TR13在高功率应用中表现出色，尤其适用于需要高效能和高可靠性的工业和汽车电子系统。
该器件广泛应用于电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、储能系统、工业电机驱动器以及高功率电源设备。其优异的性能使其成为替代传统硅基IGBT的理想选择，特别是在需要高效率和高功率密度的场合。
UFS715HD3/TR13, UFSC120015B7S,E-H
