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DMP4013LFGQ-13 发布时间 时间:2025/5/15 18:07:50 查看 阅读:9

DMP4013LFGQ-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用DFN3x3-8封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于各种开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
  这款MOSFET因其出色的性能和紧凑的尺寸而备受青睐,特别适合对空间要求严格的设计场景。

参数

型号:DMP4013LFGQ-13
  封装:DFN3x3-8
  Vds(漏源极电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):2.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  Id(连续漏极电流):30A
  Vgs(栅源电压):±20V
  功耗:90W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  栅极电荷:16nC(典型值)

特性

DMP4013LFGQ-13具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),可显著降低传导损耗,提高效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达30A的连续漏极电流。
  3. 紧凑的DFN3x3-8封装,节省PCB空间,非常适合便携式设备和其他空间受限的应用。
  4. 较宽的工作温度范围,确保在极端环境条件下的可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代设计中。
  6. 内置ESD保护,提高了器件的鲁棒性。

应用

DMP4013LFGQ-13广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器,包括降压和升压拓扑结构。
  3. 负载开关,在需要快速开启/关闭负载的应用中。
  4. 电机驱动电路,用于小型直流电机或无刷直流电机控制。
  5. 电池管理系统(BMS),提供高效的充放电路径。
  6. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理单元。

替代型号

DMN2026UFGQ-13
  DMP2026LFGQ-13
  NTMFS4836NL
  IRLZ44N

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DMP4013LFGQ-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥7.55000剪切带(CT)3,000 : ¥2.93153卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)13 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)68.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3426 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装POWERDI3333-8
  • 封装/外壳8-PowerVDFN