DMP4013LFGQ-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用DFN3x3-8封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于各种开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
这款MOSFET因其出色的性能和紧凑的尺寸而备受青睐,特别适合对空间要求严格的设计场景。
型号:DMP4013LFGQ-13
封装:DFN3x3-8
Vds(漏源极电压):30V
Rds(on)(导通电阻):2.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):30A
Vgs(栅源电压):±20V
功耗:90W
工作温度范围:-55°C至+175°C
栅极电荷:16nC(典型值)
DMP4013LFGQ-13具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),可显著降低传导损耗,提高效率。
2. 高电流承载能力,支持高达30A的连续漏极电流。
3. 紧凑的DFN3x3-8封装,节省PCB空间,非常适合便携式设备和其他空间受限的应用。
4. 较宽的工作温度范围,确保在极端环境条件下的可靠运行。
5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代设计中。
6. 内置ESD保护,提高了器件的鲁棒性。
DMP4013LFGQ-13广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器,包括降压和升压拓扑结构。
3. 负载开关,在需要快速开启/关闭负载的应用中。
4. 电机驱动电路,用于小型直流电机或无刷直流电机控制。
5. 电池管理系统(BMS),提供高效的充放电路径。
6. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理单元。
DMN2026UFGQ-13
DMP2026LFGQ-13
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