时间：2025/7/26 5:19:49
阅读：3
UFR7010是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率的功率转换应用设计。该器件采用先进的U-MOS技术制造，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制等多种电源管理场合。UFR7010采用SOP（Small Outline Package）封装，具有良好的热性能和空间节省特性，适合高密度电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：6A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大23mΩ（@VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：16nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOP-8
UFR7010采用了东芝的U-MOS工艺技术，具备极低的导通电阻和优异的开关性能。该器件的RDS(on)仅为23mΩ，确保在高电流工作条件下能够保持较低的功率损耗，提高整体能效。同时，该MOSFET的栅极电荷Qg仅为16nC，使得开关速度更快，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和负载开关。
UFR7010的SOP-8封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。其最大漏极电流为6A，漏源电压为30V，适用于中等功率应用。此外，该器件的栅源电压可承受±20V，提高了栅极驱动的灵活性。
在可靠性方面，UFR7010具有较高的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用场景。其快速恢复二极管特性也使其在同步整流器中表现出色，进一步提高了系统的整体效率。
UFR7010广泛应用于多种电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED驱动器以及工业自动化控制设备。由于其高效率和小尺寸封装，该MOSFET特别适用于空间受限且对能效要求较高的便携式电子产品和车载电子系统。
Si7153DP-T1-GE3, FDS6675, IRF7413PBF, AON6260
