型号：BZX84C6V8LT116
　　制造商：ON Semiconductor
　　封装类型：SOD-323 (SC-90)
　　齐纳电压 VZ：6.8V
　　容差：±5%
　　测试电流 IZT：5mA
　　最大耗散功率 Ptot：250mW
　　动态阻抗 Zzt：10Ω (典型值)
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　反向漏电流 IR：1μA (最大值，VR = 4.5V)

BZX84C6V8LT116作为一款高性能的小功率齐纳二极管，具备出色的电压稳定性和温度补偿能力。其核心特性之一是具有较低的动态阻抗（Zzt），在典型测试条件下仅为10Ω左右，这意味着当流经器件的电流发生微小变化时，输出的齐纳电压变化极小，从而保证了作为电压参考源时的高度稳定性。这一特性使其非常适合用于需要高精度基准电压的应用场合，如ADC/DAC偏置电路、传感器信号调理模块以及运算放大器反馈网络中的稳压节点。
　　该器件采用了先进的平面工艺制造技术，确保了PN结的均匀性和重复性，进而提升了批次间的一致性与长期可靠性。其6.8V的标称齐纳电压处于硅材料的最佳温度系数点附近，此时正负温度效应相互抵消，使得温度漂移最小化。实验数据显示，在+25°C至+125°C的工作温度区间内，BZX84C6V8LT116的电压变化率可控制在±0.05%/°C以内，显著优于许多其他电压值的齐纳管。这种优异的温度稳定性使其特别适用于环境温度变化剧烈或需要长期稳定工作的工业控制系统。
　　在电气性能方面，BZX84C6V8LT116具有很低的反向漏电流，在未达到击穿电压前的漏电水平低于1μA（在VR=4.5V时），有助于减少待机功耗并提高系统能效。同时，其最大连续功率耗散为250mW，配合SOD-323小封装仍能实现良好的热管理，尤其在自然对流散热条件下也能安全运行。此外，该器件具备较强的瞬态耐受能力，可承受短时间内的浪涌电流冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　从应用兼容性角度看，BZX84C6V8LT116支持自动化贴片生产工艺，适用于回流焊和波峰焊流程，焊接可靠性高。其引脚配置符合标准定义，便于PCB布局与替换设计。整体而言，该器件结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代电子设计中理想的电压钳位与稳压解决方案之一。

BZX84C6V8LT116广泛应用于各类电子设备中，主要用于提供稳定的参考电压、实现电压钳位保护以及进行电平转换等功能。在便携式消费电子产品中，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被用于电源管理单元中的过压保护电路，防止因电池电压波动或充电异常导致后级IC损坏。由于其SOD-323封装体积小巧，非常适合高密度PCB布局需求。
　　在工业控制领域，该器件常用于传感器接口电路中，为模拟前端提供精确的电压基准，确保测量结果的准确性。例如，在压力、温度或湿度传感器信号调理电路中，BZX84C6V8LT116可用于设定运放的偏置点或限制输入电压范围，避免信号失真或ADC饱和。此外，在数据采集系统中，它可以作为基准源来校准模数转换器的参考电压，提升系统整体精度。
　　在通信设备中，BZX84C6V8LT116可用于ESD保护和线路钳位，特别是在低速数字信号线上（如I2C、UART等），防止静电放电或瞬态干扰造成芯片损坏。其快速响应特性和低电容特性使其不会影响信号完整性，同时提供有效的防护作用。
　　在汽车电子系统中，尽管其非专用车规型号，但符合AEC-Q101标准的版本可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或车内照明驱动电路中，执行电压稳压和瞬态抑制功能。此外，它也常见于电源适配器、充电器和LED驱动电源中，作为辅助绕组反馈回路的稳压元件，确保输出电压稳定可靠。

MMBZ5239BLT1G
　　PMEZ5239BD,115
　　ZMM6V8