时间：2025/7/25 15:51:03
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UFR3260R 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。UFR3260R 主要用于高效率、高功率密度的电源转换系统，例如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及各类工业自动化设备中。该MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值）
功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220
栅极电荷（Qg）：96nC（典型值）
开启阈值电压（VGS(th)）：2.0V 至 4.0V
UFR3260R MOSFET具备多项优异的电气和物理特性。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率，特别是在大电流应用中效果显著。其次，该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供快速的开关性能，从而降低了开关损耗，适合高频应用。此外，UFR3260R具有较高的电流承载能力，能够承受瞬态过载，适用于要求高可靠性的系统设计。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，确保在高功率环境下仍能稳定运行。该器件还具备良好的热稳定性，可在高温环境下正常工作，适用于严苛的工业和汽车电子环境。最后，UFR3260R的栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路，简化了设计复杂度。
UFR3260R 主要应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电模块）。此外，由于其优异的导通和开关性能，UFR3260R也适用于高功率负载开关、电源管理模块以及智能功率模块的设计。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池保护电路中。
IRF3205, STP100N6F6, FDP3260, IPW60R032C6
