UFB120FA40P 时间：2025/12/26 20:59:38 阅读：9

UFB120FA40P是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现为Qorvo的一部分）生产的碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件属于高性能、高效率的功率半导体产品线，专为满足现代电源转换系统对高频率、高温工作和低损耗操作的需求而设计。UFB120FA40P采用先进的SiC材料技术，具有无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性，从而显著降低开关损耗，提高系统整体效率。该二极管额定电压为1200V，平均正向电流为40A，适用于高功率密度应用场景，如工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统和不间断电源（UPS）等。
　　该器件采用TO-247封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在严苛环境中长期运行。其低正向导通压降（VF）确保在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提升能效表现。此外，由于SiC材料本身具有较高的热导率和击穿电场强度，UFB120FA40P能够在比传统硅基二极管更高的温度下可靠工作，减少了对外部散热系统的依赖，有助于缩小系统体积并降低成本。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　集数：单芯片
　　额定电压（VRRM）：1200V
　　平均正向电流（IF(AV)）：40A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：360A
　　正向压降（VF）：典型值1.7V（在40A, 25°C条件下）
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　反向漏电流（IR）：最大300μA（在1200V, 25°C）
　　封装类型：TO-247-2L
　　热阻（RθJC）：约0.35°C/W
　　反向恢复时间（trr）：≈0 ns（无反向恢复电荷）

特性

UFB120FA40P的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越电气性能。首先，该器件实现了接近零的反向恢复电荷（Qrr），这意味着在高频开关应用中不会产生由载流子复合引起的反向恢复电流尖峰，从而极大降低了开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性特别适用于使用SiC MOSFET或IGBT作为主开关器件的桥式电路中，可有效提升系统效率并允许更高的开关频率运行，进而减小磁性元件和滤波器的尺寸。
　　其次，UFB120FA40P具有出色的热稳定性。其最高结温可达+175°C，远高于传统硅二极管的+150°C限制，使其能在高温环境下稳定工作，减少对复杂冷却系统的需求。同时，低热阻（RθJC ≈ 0.35°C/W）确保了热量能够高效地从芯片传导至散热器，提升了长期可靠性。此外，该器件在宽温度范围内保持稳定的电气参数，例如正向压降随温度变化较小，保证了在不同工况下的性能一致性。
　　再者，该二极管具备优异的抗浪涌能力，可承受高达360A的非重复浪涌电流，增强了在异常工况（如启动冲击或短路事件）下的鲁棒性。TO-247封装不仅提供了良好的电气隔离和机械强度，还兼容标准功率模块装配工艺，便于自动化生产和维护。总体而言，UFB120FA40P通过结合SiC技术的优势，在效率、功率密度、可靠性和系统成本之间实现了理想平衡，是现代高效率电源系统的优选整流器件。

应用

UFB120FA40P广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。在工业领域，它常用于大功率开关模式电源（SMPS）、电机驱动器和焊接设备中的续流或整流环节，以提升能效并支持紧凑化设计。在可再生能源系统中，该器件被广泛部署于光伏（PV）逆变器的直流链路或交流输出级，利用其高频低损特性提高能量转换效率，延长系统寿命。
　　在电动汽车基础设施方面，UFB120FA40P适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩中的功率因数校正（PFC）电路与DC-DC变换器，帮助实现更高的功率密度和更快的充电速度。其高温工作能力和高可靠性也使其成为轨道交通和智能电网设备中的理想选择。此外，在数据中心电源和电信整流器中，该二极管有助于构建高效98%以上的AC-DC转换系统，满足绿色节能要求。由于其无反向恢复特性，还可用于与SiC MOSFET协同工作的图腾柱PFC拓扑中，充分发挥宽禁带半导体的技术潜力，推动下一代电源架构的发展。