类型: N 沟道
　　最大漏源电压(Vds): 100V
　　最大栅源电压(Vgs): ±20V
　　最大连续漏极电流(Id): 120A
　　导通电阻(Rds(on)): 3.8mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围: -55°C 至 175°C
　　封装类型: TO-247
　　功率耗散(Pd): 300W
　　最大漏极功耗: 300W
　　栅极电荷(Qg): 135nC

FBM120N100 具有多个显著的技术特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该 MOSFET 的最大漏极电流可达 120A，能够支持高功率负载的运行。此外，它具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，并通过 TO-247 封装实现良好的散热。该器件还具备高雪崩能量耐受能力，使其在过载或短路条件下具有更高的可靠性。FBM120N100 还具有快速开关特性，适合高频操作，从而减少开关损耗。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统效率。此外，该 MOSFET 支持宽范围的栅极电压（±20V），增强了其在不同应用中的灵活性和适用性。

FBM120N100 主要应用于需要高功率密度和高效率的场合。常见应用包括工业电机驱动器、直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、电动车辆充电系统、功率因数校正（PFC）电路以及各种高功率开关电源设备。在这些应用中，该 MOSFET 能够提供出色的性能和可靠性，满足高负载和高温环境下的要求。

STP120N10F7-1, IRFP4468PBF, FDP120N10, FQA120N10