ED162NC3V3C 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及各类工业电子设备中。该芯片集成了先进的驱动电路和保护功能,能够在高频率下保持高效率的同时确保系统的稳定性和可靠性。
该芯片采用小型化的封装设计,有助于减少整体电路板的空间占用,并且支持宽范围的输入电压,使其适用于多种不同的应用场景。
型号:ED162NC3V3C
封装形式:QFN-16
额定电压:650V
额定电流:8A
开关频率:最高可达5MHz
导通电阻:40mΩ
静态功耗:小于20μA
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
ED162NC3V3C 的主要特性包括:
1. 高效的氮化镓场效应晶体管(GaN FET),能够显著降低开关损耗。
2. 内置快速保护机制,如过流保护、过温保护和短路保护,提高了系统的安全性。
3. 支持高达5MHz的开关频率,适合高频应用场合。
4. 小型化的QFN-16封装设计,有效节省PCB空间。
5. 提供精准的栅极驱动控制,优化了动态性能。
6. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。
ED162NC3V3C 芯片的应用领域十分广泛,包括但不限于以下方面:
1. 高频开关电源设计,用于笔记本电脑适配器、手机快充等消费类电子产品。
2. 工业级DC-DC转换器,提供高效稳定的直流电压转换。
3. LED驱动电源,实现更高的能效比和更小的体积。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块,提升能量转换效率。
5. 通信设备中的辅助电源设计,满足高可靠性的要求。
ED161NC3V3C
ED163NC3V3C
GD162NC3V3C