UF840C 时间：2025/12/27 8:14:04 阅读：12

UF840C是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型高压MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及功率转换系统中。该器件采用先进的平面技术制造，具备高耐压、低导通电阻和优良的开关特性，适用于多种工业和消费类电子设备中的功率控制场景。UF840C的主要优势在于其能够在高电压条件下稳定工作，同时保持较低的功耗和较高的效率。其典型封装形式为TO-220或TO-220F，便于散热设计并适用于通孔安装方式。由于其良好的性价比和可靠性，UF840C常被用于AC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器以及LED照明驱动等应用场合。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和热稳定性，能够在瞬态过载或恶劣工作环境下维持正常运行。器件的栅极阈值电压适中，便于与常见的逻辑电平驱动信号兼容，适合由PWM控制器或其他驱动IC直接驱动。整体而言，UF840C是一款性能均衡、应用广泛的功率MOSFET，特别适用于中高功率密度设计需求的场景。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(Vds)：500V
　　漏极电流(Id)：8A @ 25℃
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：600pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：120pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：35ns
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

UF840C具备优异的电气性能和热稳定性，其最大漏源击穿电压高达500V，能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于高压环境下的开关操作。在VGS=10V的驱动条件下，其典型的漏源导通电阻仅为1.2Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。该器件的连续漏极电流可达8A，在合理散热条件下可支持较大负载的应用需求。得益于优化的晶圆制造工艺，UF840C表现出较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于减少驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，从而降低开关过程中的动态损耗，提升高频工作的效率。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在非钳位感性负载开关过程中承受一定的能量冲击而不发生损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其热阻特性优良，结至外壳的热阻约为2.5℃/W，配合合适的散热片可实现长时间稳定运行。此外，UF840C的栅源阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了器件在标准逻辑电平驱动下可靠开启，避免误触发的同时保证足够的噪声裕量。器件符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品对环保法规的合规性需求。综合来看，UF840C在高压、中等电流应用场景中展现出出色的性价比和可靠性，是众多电源设计工程师优选的功率开关器件之一。

应用

UF840C广泛应用于各类需要高压开关功能的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器和PC电源单元，作为主开关管或同步整流管使用。在AC-DC和DC-DC转换器中，该器件可用于升压、降压或反激式拓扑结构中，承担能量传递和电压调节任务。此外，它也适用于LED恒流驱动电源，特别是在高压输入的户外照明或工业照明系统中表现良好。在电机控制领域，UF840C可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，作为H桥或单边开关元件，提供快速响应和高效控制。
　　该MOSFET还可用于逆变器系统，例如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的DC-AC转换环节，实现直流到交流的高效变换。在电磁炉、电焊机等家用或工业加热设备中，UF840C可用作高频振荡开关，配合谐振电路完成能量传输。其高耐压和较强的抗干扰能力使其在工业自动化控制板、继电器替代电路及固态开关模块中也有广泛应用。由于其封装便于安装和散热，特别适合需要长期运行和较高可靠性的设备。总之，UF840C凭借其稳定的性能和宽泛的应用适应性，成为中功率电力电子设计中的关键组件之一。