型号：CY7C1314KV18-250BZI
　　存储容量：18Mb（512K × 36位）
　　工作电压：1.7V ~ 1.9V（典型值1.8V）
　　最大访问时间：2.5ns
　　时钟频率：最高500MHz
　　数据速率：1000 Mbps（QDR）
　　接口类型：QDR II+ 同步突发模式
　　封装类型：165-ball BGA（11×13mm）
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　引脚数量：165
　　制造工艺：CMOS
　　数据总线宽度：36位
　　时钟输入：差分（SCLK, SCLK#）
　　读写操作：独立端口，支持同步突发读写
　　功耗：低功耗CMOS设计，具体值依工作模式而定

CY7C1314KV18-250BZI具备多项先进特性，使其成为高性能存储应用的理想选择。首先，其QDR II+架构支持在时钟的上升沿和下降沿分别进行读和写操作，实现了真正的四倍数据速率传输，能够在500MHz时钟频率下达到1Gbps的数据吞吐率，极大提升了系统带宽效率。这种非多路复用的独立读写端口设计避免了传统SDR或DDR架构中的总线争用问题，特别适用于需要持续高吞吐量的数据交换场景，如路由器、交换机的缓冲区管理。
　　其次，该器件采用同步突发访问模式，支持固定长度的突发传输（通常为2或4字深度），简化了控制器设计并提高了访问效率。所有信号均与时钟对齐，确保了严格的时序控制和系统稳定性。此外，CY7C1314KV18-250BZI集成了片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），有助于减少信号反射和电磁干扰，提升高速信号完整性，尤其在高频工作条件下表现优异。
　　在电源管理方面，该芯片支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，可根据系统需求动态调整功耗水平，延长设备运行时间并降低整体能耗。其1.8V单电源供电设计不仅简化了电源架构，还与主流FPGA和ASIC的I/O电平兼容，便于系统集成。
　　最后，该器件采用165球BGA封装，具有优良的散热性能和电气特性，适用于高密度PCB布局。其工业级温度范围确保了在严苛环境下的稳定运行，广泛应用于电信基础设施、数据中心、测试测量设备等领域。

CY7C1314KV18-250BZI主要应用于对带宽和延迟要求极高的通信与网络系统。典型应用场景包括千兆以太网和万兆以太网交换机、路由器中的数据包缓冲存储器，用于临时存储和快速转发网络数据帧。在基站和无线接入控制器中，该芯片可用于处理基带信号数据流，支持实时调度和多任务并行处理。此外，在高性能数字信号处理器（DSP）系统中，它常被用作协处理器之间的共享内存，实现高效的数据交换与协同运算。
　　该器件也适用于测试与测量仪器，如逻辑分析仪、示波器等，作为高速采样数据的暂存区，确保不丢失关键信号信息。在雷达和军事通信系统中，其高可靠性和宽温工作能力使其能够在恶劣环境下稳定运行。此外，还可用于高端FPGA开发平台，作为外部高速缓存扩展，弥补内部Block RAM资源不足的问题，提升整体系统性能。
　　由于其双端口特性，多个主控设备可以同时访问同一存储区域而无需复杂的仲裁机制，因此在多核处理器架构或冗余控制系统中也有广泛应用。例如，在工业自动化控制系统中，主备控制器可通过该SRAM实现状态同步与故障切换，提高系统的可用性与安全性。

CY7C1314KV18-250BGC
　　CY7C1314KV18-333BZI
　　CY7C1314KV18-333BGC
　　IS61QFW102436BLL-250MLI