类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大漏极电流(Id)：13A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（最大值，典型值为0.22Ω）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装类型：TO-252（D-Pak）

FQD13N20D具备多项优良特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET的200V耐压能力使其适用于中高功率的开关电源应用。此外，FQD13N20D采用了高可靠性的平面工艺，增强了器件的热稳定性和长期工作的可靠性。其TO-252封装形式便于散热，适用于表面贴装工艺，提高了组装效率。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，从而减小外围电路的体积并提高整体功率密度。同时，其栅极驱动电压范围较宽，便于与各种驱动电路兼容。
　　在安全性和保护方面，FQD13N20D具备良好的短路耐受能力和过热保护性能，适用于工业级应用环境。该MOSFET还具备较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于降低开关损耗并提升系统动态响应。因此，FQD13N20D在电源转换器、马达驱动器、电池管理系统、光伏逆变器等应用中具有广泛的适用性。

FQD13N20D主要用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电器、UPS不间断电源、LED驱动电源、工业自动化控制电路、电机驱动器以及太阳能逆变器等。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它也适用于高效率的功率因数校正（PFC）电路和功率开关模块。此外，FQD13N20D在汽车电子系统中也有广泛应用，如车载充电器、电动工具和汽车LED照明控制电路。

FQP13N20C, FQA13N20C, IRF840, STP12NM20N