时间：2025/9/15 21:47:17
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MSA0686TR1G是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于电源管理和功率转换领域，因其高效率、低导通电阻和良好的热性能而受到青睐。该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有高可靠性和较长的使用寿命。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：8.0A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON))：0.22Ω（最大值，在VGS=10V）
功耗（PD）：35W
工作温度范围：-55°C至+150°C
MSA0686TR1G具有低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
其高耐压能力使其适用于多种中高功率应用，包括DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保系统可靠性。
该器件采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能，并且兼容表面贴装工艺，便于自动化生产。
在驱动能力方面，MSA0686TR1G的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗并提高响应速度，适用于高频开关应用。
MSA0686TR1G主要用于各类电源管理系统，如AC-DC适配器、DC-DC转换器和负载开关控制。
它也适用于工业自动化设备、电机驱动和LED照明系统等对效率和稳定性有较高要求的应用场景。
由于其良好的热性能和封装设计，该MOSFET还可用于需要良好散热能力的便携式设备电源管理模块。
在汽车电子系统中，如车载充电器和电池管理系统中也有广泛应用。
IRFZ44N, FDP6860, FDS6680, Si4440DY
