类型：超快恢复二极管
　　封装：DO-41
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：800V
　　最大RMS电压（VRMS）：560V
　　最大直流阻断电压（VDC）：800V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：30A（@8.3ms单半正弦波）
　　正向电压降（VF）：典型值1.3V，最大值1.7V（在IF=1A条件下）
　　反向恢复时间（trr）：≤75ns
　　反向漏电流（IR）：≤5μA（在25°C时），高温下不超过500μA（125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C

UF830K的核心特性之一是其超快的反向恢复时间，通常控制在75ns以内，这一指标显著优于标准整流二极管（如1N4007系列，其trr可达数微秒）。在现代开关电源设计中，尤其是在高频PWM控制器驱动的反激式或正激式拓扑结构中，二极管的反向恢复特性直接影响系统的开关损耗和电磁干扰（EMI）水平。UF830K由于其快速的关断能力，能够在MOSFET或IGBT关断后迅速截止反向电流，从而减少能量损耗并降低电压尖峰，有助于提高整体转换效率并简化吸收电路的设计。
　　该器件采用了平面扩散工艺结合玻璃钝化技术，确保了PN结表面的高度稳定性，提升了器件的长期可靠性和环境适应性。玻璃钝化层有效防止了湿气和污染物对芯片的侵蚀，增强了器件在恶劣环境下的耐久性。同时，UF830K具备较高的热稳定性，其最大工作结温可达150°C，允许在较高环境温度下持续运行，适用于紧凑型电源设计中热量集中的区域。
　　在电气性能方面，UF830K的正向导通压降较低，在1A电流下典型值为1.3V，最大不超过1.7V，这意味着其导通损耗相对较小，有助于提升电源系统的能效表现。此外，它能够承受高达30A的非重复浪涌电流，表明其在面对电网波动或开机冲击电流时具有较强的耐受能力，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　从封装角度看，DO-41是一种成熟且广泛应用的小型轴向封装形式，具有良好的机械强度和散热性能。尽管其体积小巧，但仍可通过合理的PCB布局实现有效热管理，适用于自动化插件和波峰焊工艺，适合大规模生产使用。

UF830K常用于各类中低功率开关电源（SMPS）中，作为次级侧整流二极管或钳位/续流二极管使用，特别是在反激式变换器中用于输出整流，发挥其快速恢复特性的优势以降低开关损耗。它也广泛应用于AC-DC适配器、充电器、小型电源模块、LED照明驱动电源等消费类电子产品中，满足对高效率和小体积的需求。
　　在工业控制领域，UF830K可用于PLC电源单元、继电器驱动电路中的续流保护，以及电机控制板上的感应负载缓冲电路，防止感性元件在断电时产生高压反电动势损坏主控器件。此外，在逆变器和UPS不间断电源系统中，该二极管可作为桥式整流电路的一部分，处理交流输入端的整流任务，其800V耐压能力足以应对市电波动和瞬态过压情况。
　　由于其良好的高温性能和可靠性，UF830K也被用于汽车电子辅助电源、车载充电装置等对环境适应性要求较高的场合。在电磁兼容性（EMI）敏感的应用中，其快速恢复特性有助于减少高频噪声的产生，配合滤波电路可有效改善系统的EMI表现。总之，UF830K凭借其优异的综合性能，成为众多中等功率电力电子系统中不可或缺的基础元器件。

1N4937, UF4007, MUR160, HER108